Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
H11A5SD
ON Semiconductor

H11A5SD

частка акцыі: 5437

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FODM121D
ON Semiconductor

FODM121D

частка акцыі: 5313

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD2741AT
ON Semiconductor

FOD2741AT

частка акцыі: 5392

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MCT5201SD
ON Semiconductor

MCT5201SD

частка акцыі: 5513

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 120% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 12µs, Час нарастання / падзення (тып): 2.5µs, 16µs,

Ліст з жаданняў
MOC8107S
ON Semiconductor

MOC8107S

частка акцыі: 5459

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2530SM
ON Semiconductor

HCPL2530SM

частка акцыі: 61981

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
H11A2TVM
ON Semiconductor

H11A2TVM

частка акцыі: 5485

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MCT5211300W
ON Semiconductor

MCT5211300W

частка акцыі: 5350

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 14µs, 2.5µs,

Ліст з жаданняў
FODB100V
ON Semiconductor

FODB100V

частка акцыі: 5420

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 5µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
H11AG1VM
ON Semiconductor

H11AG1VM

частка акцыі: 162784

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
MOCD211VM
ON Semiconductor

MOCD211VM

частка акцыі: 5489

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
H11F2S
ON Semiconductor

H11F2S

частка акцыі: 5294

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 25µs (Max),

Ліст з жаданняў
HCPL2503SD
ON Semiconductor

HCPL2503SD

частка акцыі: 5344

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 12% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
H11G1W
ON Semiconductor

H11G1W

частка акцыі: 5319

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў
MOC1193SD
ON Semiconductor

MOC1193SD

частка акцыі: 5341

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
CNW138300
ON Semiconductor

CNW138300

частка акцыі: 5302

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 1000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA,

Ліст з жаданняў
HMHA2801B
ON Semiconductor

HMHA2801B

частка акцыі: 159153

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOC8100FR2M
ON Semiconductor

MOC8100FR2M

частка акцыі: 5482

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs (Max), Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
CNY172S
ON Semiconductor

CNY172S

частка акцыі: 5409

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HMHA2801R3
ON Semiconductor

HMHA2801R3

частка акцыі: 5402

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT22003S
ON Semiconductor

MCT22003S

частка акцыі: 5336

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11G23S
ON Semiconductor

H11G23S

частка акцыі: 5356

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў
H11A617BS
ON Semiconductor

H11A617BS

частка акцыі: 5352

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
H11AV2SR2VM
ON Semiconductor

H11AV2SR2VM

частка акцыі: 5502

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 15µs, 15µs,

Ліст з жаданняў
HMA124
ON Semiconductor

HMA124

частка акцыі: 2617

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOC8080SD
ON Semiconductor

MOC8080SD

частка акцыі: 5441

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 25µs,

Ліст з жаданняў
H11AV2VM
ON Semiconductor

H11AV2VM

частка акцыі: 5428

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 15µs, 15µs,

Ліст з жаданняў
MOC8050S
ON Semiconductor

MOC8050S

частка акцыі: 5418

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
H11AG13S
ON Semiconductor

H11AG13S

частка акцыі: 5414

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
MOC8111M
ON Semiconductor

MOC8111M

частка акцыі: 5462

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 18µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 11µs,

Ліст з жаданняў
MOC81133S
ON Semiconductor

MOC81133S

частка акцыі: 2556

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 4.2µs, 23µs, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 14µs,

Ліст з жаданняў
MCT2E300
ON Semiconductor

MCT2E300

частка акцыі: 5496

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1.1µs, 50µs,

Ліст з жаданняў
H11A817C300
ON Semiconductor

H11A817C300

частка акцыі: 5422

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
HMA124R2V
ON Semiconductor

HMA124R2V

частка акцыі: 5445

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HMA121DR2
ON Semiconductor

HMA121DR2

частка акцыі: 5379

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HMA2701R2
ON Semiconductor

HMA2701R2

частка акцыі: 5390

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў