Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
MCT2201300W
ON Semiconductor

MCT2201300W

частка акцыі: 5457

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HCPL0452R1
ON Semiconductor

HCPL0452R1

частка акцыі: 5373

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
CNY173
ON Semiconductor

CNY173

частка акцыі: 5449

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11AA3VM
ON Semiconductor

H11AA3VM

частка акцыі: 5534

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SL5500W
ON Semiconductor

SL5500W

частка акцыі: 5441

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 50µs (Max),

Ліст з жаданняў
SL5583W
ON Semiconductor

SL5583W

частка акцыі: 2602

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 320% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 50µs (Max),

Ліст з жаданняў
MOC8106S
ON Semiconductor

MOC8106S

частка акцыі: 5413

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
CNY1723S
ON Semiconductor

CNY1723S

частка акцыі: 5368

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11A617A300
ON Semiconductor

H11A617A300

частка акцыі: 2575

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
CNX35U300
ON Semiconductor

CNX35U300

частка акцыі: 5322

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
HMA121R4
ON Semiconductor

HMA121R4

частка акцыі: 5324

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11A617D300
ON Semiconductor

H11A617D300

частка акцыі: 5315

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 160% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 320% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
MOC206R2VM
ON Semiconductor

MOC206R2VM

частка акцыі: 5508

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
FODM2701AR1V
ON Semiconductor

FODM2701AR1V

частка акцыі: 2606

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT271300W
ON Semiconductor

MCT271300W

частка акцыі: 5344

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 45% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 90% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 48µs,

Ліст з жаданняў
H11AA43S
ON Semiconductor

H11AA43S

частка акцыі: 2601

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FODM2705V
ON Semiconductor

FODM2705V

частка акцыі: 5473

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOCD223R1M
ON Semiconductor

MOCD223R1M

частка акцыі: 5478

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MCT2EFM
ON Semiconductor

MCT2EFM

частка акцыі: 5262

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 1.5µs,

Ліст з жаданняў
H11A817C
ON Semiconductor

H11A817C

частка акцыі: 5492

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
MOC208M
ON Semiconductor

MOC208M

частка акцыі: 5261

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
CNY171S
ON Semiconductor

CNY171S

частка акцыі: 5395

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
SL5511S
ON Semiconductor

SL5511S

частка акцыі: 5352

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 25% @ 2mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 50µs (Max),

Ліст з жаданняў
H11F2300
ON Semiconductor

H11F2300

частка акцыі: 5410

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 25µs (Max),

Ліст з жаданняў
FOD270LS
ON Semiconductor

FOD270LS

частка акцыі: 5467

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 400% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 7000% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 50µs,

Ліст з жаданняў
MOC213VM
ON Semiconductor

MOC213VM

частка акцыі: 166353

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
MOC8108W
ON Semiconductor

MOC8108W

частка акцыі: 5277

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 250% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
CNX38UW
ON Semiconductor

CNX38UW

частка акцыі: 5410

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 70% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 210% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
H11AA4SDM
ON Semiconductor

H11AA4SDM

частка акцыі: 5287

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
H11A53S
ON Semiconductor

H11A53S

частка акцыі: 5450

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MOC8107W
ON Semiconductor

MOC8107W

частка акцыі: 5499

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HMA121ER2
ON Semiconductor

HMA121ER2

частка акцыі: 5427

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
CNY17F3SD
ON Semiconductor

CNY17F3SD

частка акцыі: 5452

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11A817A3S
ON Semiconductor

H11A817A3S

частка акцыі: 5307

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
CNX39UW
ON Semiconductor

CNX39UW

частка акцыі: 5293

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 60% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
CNW135S
ON Semiconductor

CNW135S

частка акцыі: 5396

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA,

Ліст з жаданняў