Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
CNY17F2
ON Semiconductor

CNY17F2

частка акцыі: 5648

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MOC206VM
ON Semiconductor

MOC206VM

частка акцыі: 5565

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
MOC8021SR2M
ON Semiconductor

MOC8021SR2M

частка акцыі: 5567

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 8.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
H11B8153SD
ON Semiconductor

H11B8153SD

частка акцыі: 5603

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 600% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 7500% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 300µs, 250µs (Max),

Ліст з жаданняў
FODB102V
ON Semiconductor

FODB102V

частка акцыі: 2625

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 5µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
MOC81053S
ON Semiconductor

MOC81053S

частка акцыі: 5590

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 65% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 133% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11A2FVM
ON Semiconductor

H11A2FVM

частка акцыі: 5540

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FOD2741CSDV
ON Semiconductor

FOD2741CSDV

частка акцыі: 5687

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
H11B255300
ON Semiconductor

H11B255300

частка акцыі: 5707

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 18µs,

Ліст з жаданняў
TIL113W
ON Semiconductor

TIL113W

частка акцыі: 5519

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 350ns, 55µs,

Ліст з жаданняў
H11G3SD
ON Semiconductor

H11G3SD

частка акцыі: 5512

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў
FODB103
ON Semiconductor

FODB103

частка акцыі: 5591

Колькасць каналаў: 1,

Ліст з жаданняў
SL5511300
ON Semiconductor

SL5511300

частка акцыі: 5676

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 25% @ 2mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 50µs (Max),

Ліст з жаданняў
FOD617B3S
ON Semiconductor

FOD617B3S

частка акцыі: 5511

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2531M
ON Semiconductor

HCPL2531M

частка акцыі: 73888

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 250ns, 260ns,

Ліст з жаданняў
HMA2701B
ON Semiconductor

HMA2701B

частка акцыі: 5768

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
CNY17F33S
ON Semiconductor

CNY17F33S

частка акцыі: 5544

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
SL5501W
ON Semiconductor

SL5501W

частка акцыі: 5681

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 25% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 50µs (Max),

Ліст з жаданняў
MCT2202W
ON Semiconductor

MCT2202W

частка акцыі: 5685

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HMA121ER4V
ON Semiconductor

HMA121ER4V

частка акцыі: 5681

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT5200
ON Semiconductor

MCT5200

частка акцыі: 5396

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 75% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1.6µs, 18µs, Час нарастання / падзення (тып): 1.3µs, 16µs,

Ліст з жаданняў
H11F1
ON Semiconductor

H11F1

частка акцыі: 5347

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 25µs (Max),

Ліст з жаданняў
H11A5TM
ON Semiconductor

H11A5TM

частка акцыі: 5296

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HCPL0500R1
ON Semiconductor

HCPL0500R1

частка акцыі: 5291

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 500ns,

Ліст з жаданняў
MOC8106300
ON Semiconductor

MOC8106300

частка акцыі: 5455

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
CNY173300W
ON Semiconductor

CNY173300W

частка акцыі: 5402

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11AA1300W
ON Semiconductor

H11AA1300W

частка акцыі: 5486

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FODM121DV
ON Semiconductor

FODM121DV

частка акцыі: 5441

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD617ASD
ON Semiconductor

FOD617ASD

частка акцыі: 5402

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD816S
ON Semiconductor

FOD816S

частка акцыі: 2591

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 600% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 7500% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 60µs, 53µs,

Ліст з жаданняў
CNW4502300
ON Semiconductor

CNW4502300

частка акцыі: 5305

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA,

Ліст з жаданняў
FOD2711ATV
ON Semiconductor

FOD2711ATV

частка акцыі: 172675

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MOC80213SD
ON Semiconductor

MOC80213SD

частка акцыі: 5437

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
TIL111FR2M
ON Semiconductor

TIL111FR2M

частка акцыі: 5436

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Час нарастання / падзення (тып): 10µs, 10µs (Max),

Ліст з жаданняў
HMA124R3V
ON Semiconductor

HMA124R3V

частка акцыі: 5394

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11A817
ON Semiconductor

H11A817

частка акцыі: 5367

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў