Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
FODM121BR2V
ON Semiconductor

FODM121BR2V

частка акцыі: 5697

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT271M
ON Semiconductor

MCT271M

частка акцыі: 5629

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 45% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 90% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 48µs,

Ліст з жаданняў
FOD2743AT
ON Semiconductor

FOD2743AT

частка акцыі: 5565

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 1mA,

Ліст з жаданняў
H11A5100
ON Semiconductor

H11A5100

частка акцыі: 5618

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
H11A5TVM
ON Semiconductor

H11A5TVM

частка акцыі: 5676

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FOD2743CSV
ON Semiconductor

FOD2743CSV

частка акцыі: 5506

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 1mA,

Ліст з жаданняў
MOC8030-M
ON Semiconductor

MOC8030-M

частка акцыі: 5746

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
H11A617C300
ON Semiconductor

H11A617C300

частка акцыі: 5577

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
MCT2SVM
ON Semiconductor

MCT2SVM

частка акцыі: 5602

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 1.5µs,

Ліст з жаданняў
HMHA2801CR2V
ON Semiconductor

HMHA2801CR2V

частка акцыі: 2549

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11A3FR2VM
ON Semiconductor

H11A3FR2VM

частка акцыі: 5586

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11A617DW
ON Semiconductor

H11A617DW

частка акцыі: 5678

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 160% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 320% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
CNX39USD
ON Semiconductor

CNX39USD

частка акцыі: 5504

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 60% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
CNY171VM
ON Semiconductor

CNY171VM

частка акцыі: 103184

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
H11AV2FR2VM
ON Semiconductor

H11AV2FR2VM

частка акцыі: 5644

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 15µs, 15µs,

Ліст з жаданняў
H11A617CSD
ON Semiconductor

H11A617CSD

частка акцыі: 5711

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
TIL111FR2VM
ON Semiconductor

TIL111FR2VM

частка акцыі: 2602

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Час нарастання / падзення (тып): 10µs, 10µs (Max),

Ліст з жаданняў
FOD2741C
ON Semiconductor

FOD2741C

частка акцыі: 5647

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
H11B2553SD
ON Semiconductor

H11B2553SD

частка акцыі: 5588

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 18µs,

Ліст з жаданняў
FODM2701AR2V
ON Semiconductor

FODM2701AR2V

частка акцыі: 5633

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOC8100SM
ON Semiconductor

MOC8100SM

частка акцыі: 5712

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs (Max), Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11F33S
ON Semiconductor

H11F33S

частка акцыі: 5660

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 25µs (Max),

Ліст з жаданняў
MOC80303SD
ON Semiconductor

MOC80303SD

частка акцыі: 5595

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
CNY17F23S
ON Semiconductor

CNY17F23S

частка акцыі: 5615

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11D3300W
ON Semiconductor

H11D3300W

частка акцыі: 5703

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
HMA121AR2V
ON Semiconductor

HMA121AR2V

частка акцыі: 5533

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11G1
ON Semiconductor

H11G1

частка акцыі: 5713

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2730WV
ON Semiconductor

HCPL2730WV

частка акцыі: 5721

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 300ns, 5µs,

Ліст з жаданняў
MOC81083S
ON Semiconductor

MOC81083S

частка акцыі: 5555

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 250% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
TIL113SD
ON Semiconductor

TIL113SD

частка акцыі: 5627

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 350ns, 55µs,

Ліст з жаданняў
FODM2701A
ON Semiconductor

FODM2701A

частка акцыі: 5716

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TIL1113SD
ON Semiconductor

TIL1113SD

частка акцыі: 5546

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Час нарастання / падзення (тып): 10µs, 10µs (Max),

Ліст з жаданняў
FOD2712
ON Semiconductor

FOD2712

частка акцыі: 5509

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
H11A817AW
ON Semiconductor

H11A817AW

частка акцыі: 5701

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
CNX39U300
ON Semiconductor

CNX39U300

частка акцыі: 5686

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 60% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
H11AV2AM
ON Semiconductor

H11AV2AM

частка акцыі: 2655

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 15µs, 15µs,

Ліст з жаданняў