Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
CNY17F4SD
ON Semiconductor

CNY17F4SD

частка акцыі: 5539

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 160% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 320% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11D4
ON Semiconductor

H11D4

частка акцыі: 5679

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
HMA124R1
ON Semiconductor

HMA124R1

частка акцыі: 2648

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11AA814300W
ON Semiconductor

H11AA814300W

частка акцыі: 5621

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
MOC8101W
ON Semiconductor

MOC8101W

частка акцыі: 5699

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
CNW139S
ON Semiconductor

CNW139S

частка акцыі: 5718

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 1000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA,

Ліст з жаданняў
HMA121CR3
ON Semiconductor

HMA121CR3

частка акцыі: 5563

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HMA2701AR2
ON Semiconductor

HMA2701AR2

частка акцыі: 5479

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
CNX35U
ON Semiconductor

CNX35U

частка акцыі: 5636

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
HMAA2705R4V
ON Semiconductor

HMAA2705R4V

частка акцыі: 5690

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT2FR2VM
ON Semiconductor

MCT2FR2VM

частка акцыі: 5577

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 1.5µs,

Ліст з жаданняў
MOC80303S
ON Semiconductor

MOC80303S

частка акцыі: 5580

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
H11G23SD
ON Semiconductor

H11G23SD

частка акцыі: 5711

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў
FOD617B300W
ON Semiconductor

FOD617B300W

частка акцыі: 5634

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD816
ON Semiconductor

FOD816

частка акцыі: 5599

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 600% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 7500% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 60µs, 53µs,

Ліст з жаданняў
H11A617B3S
ON Semiconductor

H11A617B3S

частка акцыі: 5629

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
HMA121FV
ON Semiconductor

HMA121FV

частка акцыі: 5665

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD2742BR1V
ON Semiconductor

FOD2742BR1V

частка акцыі: 2566

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
HMA2701BR3V
ON Semiconductor

HMA2701BR3V

частка акцыі: 5718

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11B2300W
ON Semiconductor

H11B2300W

частка акцыі: 5691

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 18µs,

Ліст з жаданняў
H11F2W
ON Semiconductor

H11F2W

частка акцыі: 5770

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 25µs (Max),

Ліст з жаданняў
H11B255SD
ON Semiconductor

H11B255SD

частка акцыі: 5749

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 18µs,

Ліст з жаданняў
HCPL0452V
ON Semiconductor

HCPL0452V

частка акцыі: 4341

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
H11F3
ON Semiconductor

H11F3

частка акцыі: 5578

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 25µs (Max),

Ліст з жаданняў
FOD816W
ON Semiconductor

FOD816W

частка акцыі: 5651

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 600% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 7500% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 60µs, 53µs,

Ліст з жаданняў
CNX39US
ON Semiconductor

CNX39US

частка акцыі: 5549

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 60% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
MCT2103S
ON Semiconductor

MCT2103S

частка акцыі: 5725

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 50µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 11µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2731SM
ON Semiconductor

HCPL2731SM

частка акцыі: 63867

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA,

Ліст з жаданняў
HMA2701AR2V
ON Semiconductor

HMA2701AR2V

частка акцыі: 5569

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FODM1008
ON Semiconductor

FODM1008

частка акцыі: 199861

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 5.7µs, 8.5µs,

Ліст з жаданняў
CNY171FR2M
ON Semiconductor

CNY171FR2M

частка акцыі: 5696

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
TIL111SM
ON Semiconductor

TIL111SM

частка акцыі: 5502

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Час нарастання / падзення (тып): 10µs, 10µs (Max),

Ліст з жаданняў
MCT270
ON Semiconductor

MCT270

частка акцыі: 5688

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 115% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
H11AV1FR2M
ON Semiconductor

H11AV1FR2M

частка акцыі: 5580

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 15µs, 15µs (Max),

Ліст з жаданняў
MOC8113
ON Semiconductor

MOC8113

частка акцыі: 5573

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 4.2µs, 23µs, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 14µs,

Ліст з жаданняў
H11A817D3S
ON Semiconductor

H11A817D3S

частка акцыі: 5621

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў