Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
MOC8030300
ON Semiconductor

MOC8030300

частка акцыі: 5740

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
H11A3TM
ON Semiconductor

H11A3TM

частка акцыі: 5713

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11D3S
ON Semiconductor

H11D3S

частка акцыі: 5844

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
MOCD207M_F132
ON Semiconductor

MOCD207M_F132

частка акцыі: 5904

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
H11D4300W
ON Semiconductor

H11D4300W

частка акцыі: 5864

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
H11AA814A
ON Semiconductor

H11AA814A

частка акцыі: 2638

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
MOC205R1VM
ON Semiconductor

MOC205R1VM

частка акцыі: 5945

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
FODM121ER1V
ON Semiconductor

FODM121ER1V

частка акцыі: 5764

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
CNY17F2SR2M_F132
ON Semiconductor

CNY17F2SR2M_F132

частка акцыі: 2590

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
HCPL0452R2
ON Semiconductor

HCPL0452R2

частка акцыі: 5725

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
H11AA4VM
ON Semiconductor

H11AA4VM

частка акцыі: 136549

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
HMHA2801BR3
ON Semiconductor

HMHA2801BR3

частка акцыі: 5806

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOC8204S
ON Semiconductor

MOC8204S

частка акцыі: 5750

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
FOD2742CV
ON Semiconductor

FOD2742CV

частка акцыі: 5879

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CNY17F3W
ON Semiconductor

CNY17F3W

частка акцыі: 5814

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11AV2FVM
ON Semiconductor

H11AV2FVM

частка акцыі: 2684

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 15µs, 15µs,

Ліст з жаданняў
H11A13S
ON Semiconductor

H11A13S

частка акцыі: 5921

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11A5FR2M
ON Semiconductor

H11A5FR2M

частка акцыі: 5903

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FOD2743ASV
ON Semiconductor

FOD2743ASV

частка акцыі: 5748

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 1mA,

Ліст з жаданняў
HCPL2531W
ON Semiconductor

HCPL2531W

частка акцыі: 5712

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
MCT5201
ON Semiconductor

MCT5201

частка акцыі: 5917

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 120% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 12µs, Час нарастання / падзення (тып): 2.5µs, 16µs,

Ліст з жаданняў
HCPL0701R2V
ON Semiconductor

HCPL0701R2V

частка акцыі: 5876

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 2600% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 300ns, 1.6µs,

Ліст з жаданняў
FOD817BW
ON Semiconductor

FOD817BW

частка акцыі: 5818

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HMA121FR3V
ON Semiconductor

HMA121FR3V

частка акцыі: 5762

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TIL111300W
ON Semiconductor

TIL111300W

частка акцыі: 5953

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Час нарастання / падзення (тып): 10µs, 10µs (Max),

Ліст з жаданняў
MCT271W
ON Semiconductor

MCT271W

частка акцыі: 5750

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 45% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 90% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 48µs,

Ліст з жаданняў
H11A53SD
ON Semiconductor

H11A53SD

частка акцыі: 5759

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FOD815300
ON Semiconductor

FOD815300

частка акцыі: 5893

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 600% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 7500% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 60µs, 53µs,

Ліст з жаданняў
H11A43SD
ON Semiconductor

H11A43SD

частка акцыі: 5825

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MOC8020S
ON Semiconductor

MOC8020S

частка акцыі: 5929

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
HCPL3700W
ON Semiconductor

HCPL3700W

частка акцыі: 5791

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 6µs, 25µs, Час нарастання / падзення (тып): 45µs, 0.5µs,

Ліст з жаданняў
H11A2SD
ON Semiconductor

H11A2SD

частка акцыі: 5831

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
TIL117SR2M
ON Semiconductor

TIL117SR2M

частка акцыі: 5813

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 10µs (Max), Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11AV1FM
ON Semiconductor

H11AV1FM

частка акцыі: 5849

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 15µs, 15µs (Max),

Ліст з жаданняў
MCT2EFVM
ON Semiconductor

MCT2EFVM

частка акцыі: 5900

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 1.5µs,

Ліст з жаданняў
MOC8050W
ON Semiconductor

MOC8050W

частка акцыі: 5819

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў