Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
H11A1TM
ON Semiconductor

H11A1TM

частка акцыі: 5834

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11B3300
ON Semiconductor

H11B3300

частка акцыі: 4309

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 18µs,

Ліст з жаданняў
MOC8112SD
ON Semiconductor

MOC8112SD

частка акцыі: 5808

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 4.2µs, 23µs, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 14µs,

Ліст з жаданняў
FODM453R1V
ON Semiconductor

FODM453R1V

частка акцыі: 5749

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 400ns, 350ns,

Ліст з жаданняў
CNW85S
ON Semiconductor

CNW85S

частка акцыі: 5901

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5900Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 0.63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 3.20% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CNY174300
ON Semiconductor

CNY174300

частка акцыі: 5888

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 160% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 320% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HCPL0501R1
ON Semiconductor

HCPL0501R1

частка акцыі: 5759

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
CNY174S
ON Semiconductor

CNY174S

частка акцыі: 5906

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 160% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 320% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MOC223VM
ON Semiconductor

MOC223VM

частка акцыі: 5697

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 125µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 110µs,

Ліст з жаданняў
HMA121BR1V
ON Semiconductor

HMA121BR1V

частка акцыі: 5867

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD815S
ON Semiconductor

FOD815S

частка акцыі: 5820

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 600% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 7500% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 60µs, 53µs,

Ліст з жаданняў
H11AG3SD
ON Semiconductor

H11AG3SD

частка акцыі: 2639

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
FOD2743ATV
ON Semiconductor

FOD2743ATV

частка акцыі: 5824

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 1mA,

Ліст з жаданняў
MOC81073SD
ON Semiconductor

MOC81073SD

частка акцыі: 5809

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FODM121ER2V
ON Semiconductor

FODM121ER2V

частка акцыі: 5710

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT2ESVM
ON Semiconductor

MCT2ESVM

частка акцыі: 5854

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 1.5µs,

Ліст з жаданняў
CNX36US
ON Semiconductor

CNX36US

частка акцыі: 5850

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
MOC8100SR2M
ON Semiconductor

MOC8100SR2M

частка акцыі: 5737

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs (Max), Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
CNW84300
ON Semiconductor

CNW84300

частка акцыі: 5707

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5900Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 0.63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 3.20% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
HCPL0730R1
ON Semiconductor

HCPL0730R1

частка акцыі: 1468

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 5000% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 7µs,

Ліст з жаданняў
CNW135300
ON Semiconductor

CNW135300

частка акцыі: 5913

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA,

Ліст з жаданняў
MCT2200S
ON Semiconductor

MCT2200S

частка акцыі: 5866

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HMA121DR2V
ON Semiconductor

HMA121DR2V

частка акцыі: 5718

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOC8112S
ON Semiconductor

MOC8112S

частка акцыі: 5884

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 4.2µs, 23µs, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 14µs,

Ліст з жаданняў
H11F1300
ON Semiconductor

H11F1300

частка акцыі: 2579

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 25µs (Max),

Ліст з жаданняў
FODM8801AV
ON Semiconductor

FODM8801AV

частка акцыі: 166933

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 6µs, 6µs, Час нарастання / падзення (тып): 5µs, 5.5µs,

Ліст з жаданняў
HMA121BR3
ON Semiconductor

HMA121BR3

частка акцыі: 5798

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD2743CS
ON Semiconductor

FOD2743CS

частка акцыі: 5854

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 1mA,

Ліст з жаданняў
H11AG13SD
ON Semiconductor

H11AG13SD

частка акцыі: 5831

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
H11B255W
ON Semiconductor

H11B255W

частка акцыі: 5774

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 18µs,

Ліст з жаданняў
H11A2W
ON Semiconductor

H11A2W

частка акцыі: 5931

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11G33S
ON Semiconductor

H11G33S

частка акцыі: 5918

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў
H11A1FR2M
ON Semiconductor

H11A1FR2M

частка акцыі: 5804

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11B2SD
ON Semiconductor

H11B2SD

частка акцыі: 5893

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 18µs,

Ліст з жаданняў
H11G2SVM
ON Semiconductor

H11G2SVM

частка акцыі: 5966

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў
H11G2300
ON Semiconductor

H11G2300

частка акцыі: 5861

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў