Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
MOC256R1VM
ON Semiconductor

MOC256R1VM

частка акцыі: 5247

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
H11AG2300W
ON Semiconductor

H11AG2300W

частка акцыі: 5488

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
HCPL0730R2
ON Semiconductor

HCPL0730R2

частка акцыі: 2556

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 5000% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 7µs,

Ліст з жаданняў
CNX39U3SD
ON Semiconductor

CNX39U3SD

частка акцыі: 5337

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 60% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
CNW139300
ON Semiconductor

CNW139300

частка акцыі: 5359

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 1000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA,

Ліст з жаданняў
H11AG1300
ON Semiconductor

H11AG1300

частка акцыі: 5428

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2731WV
ON Semiconductor

HCPL2731WV

частка акцыі: 5337

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 300ns, 5µs,

Ліст з жаданняў
H11G33SD
ON Semiconductor

H11G33SD

частка акцыі: 5497

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў
MOC8107SD
ON Semiconductor

MOC8107SD

частка акцыі: 5357

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11A817CSD
ON Semiconductor

H11A817CSD

частка акцыі: 5357

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
H11AA2SR2VM
ON Semiconductor

H11AA2SR2VM

частка акцыі: 2585

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CNX36U3SD
ON Semiconductor

CNX36U3SD

частка акцыі: 5362

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
H11B23SD
ON Semiconductor

H11B23SD

частка акцыі: 5404

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 18µs,

Ліст з жаданняў
FOD617AS
ON Semiconductor

FOD617AS

частка акцыі: 5523

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT5201300
ON Semiconductor

MCT5201300

частка акцыі: 5414

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 120% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 12µs, Час нарастання / падзення (тып): 2.5µs, 16µs,

Ліст з жаданняў
MOC8112
ON Semiconductor

MOC8112

частка акцыі: 5366

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 4.2µs, 23µs, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 14µs,

Ліст з жаданняў
H11A2FR2M
ON Semiconductor

H11A2FR2M

частка акцыі: 5431

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11AV2SR2M
ON Semiconductor

H11AV2SR2M

частка акцыі: 5335

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 15µs, 15µs,

Ліст з жаданняў
CNY17F1
ON Semiconductor

CNY17F1

частка акцыі: 5450

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HMA121CR1
ON Semiconductor

HMA121CR1

частка акцыі: 5439

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11AG1
ON Semiconductor

H11AG1

частка акцыі: 5503

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
MCT5210W
ON Semiconductor

MCT5210W

частка акцыі: 5241

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 60% @ 3mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 400ns,

Ліст з жаданняў
SL5501300
ON Semiconductor

SL5501300

частка акцыі: 5517

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 25% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 50µs (Max),

Ліст з жаданняў
H11A3SR2VM
ON Semiconductor

H11A3SR2VM

частка акцыі: 5412

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MCT271
ON Semiconductor

MCT271

частка акцыі: 5436

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 45% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 90% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 48µs,

Ліст з жаданняў
FOD270L
ON Semiconductor

FOD270L

частка акцыі: 5496

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 400% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 7000% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 50µs,

Ліст з жаданняў
H11D2SR2M
ON Semiconductor

H11D2SR2M

частка акцыі: 5469

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2503S
ON Semiconductor

HCPL2503S

частка акцыі: 5359

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 12% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
FOD617CS
ON Semiconductor

FOD617CS

частка акцыі: 5370

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11AV2SVM
ON Semiconductor

H11AV2SVM

частка акцыі: 5488

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 15µs, 15µs,

Ліст з жаданняў
CNX35U3S
ON Semiconductor

CNX35U3S

частка акцыі: 5506

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
FOD815W
ON Semiconductor

FOD815W

частка акцыі: 5506

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 600% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 7500% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 60µs, 53µs,

Ліст з жаданняў
HCPL0701V
ON Semiconductor

HCPL0701V

частка акцыі: 70720

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 2600% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 300ns, 1.6µs,

Ліст з жаданняў
HMA121BR2V
ON Semiconductor

HMA121BR2V

частка акцыі: 5277

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11AA814A3S
ON Semiconductor

H11AA814A3S

частка акцыі: 5551

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
MOC81073S
ON Semiconductor

MOC81073S

частка акцыі: 2604

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў