Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - модулі
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation

APTGT50H120TG

частка акцыі: 318

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DA170TG

частка акцыі: 319

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DSK60T3G

частка акцыі: 290

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 90W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DDA60T3G

частка акцыі: 311

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Магутнасць - Макс: 62W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Ліст з жаданняў
APTGT150A60TG
Microsemi Corporation

APTGT150A60TG

частка акцыі: 326

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT150A170G
Microsemi Corporation

APTGT150A170G

частка акцыі: 349

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 250A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGF50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T1G

частка акцыі: 308

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50H120TG
Microsemi Corporation

APTGF50H120TG

частка акцыі: 317

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF330DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330DA60D3G

частка акцыі: 3084

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 460A, Магутнасць - Макс: 1400W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A,

Ліст з жаданняў
APTGF25DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25DSK120T3G

частка акцыі: 347

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 208W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGF15X120T3G
Microsemi Corporation

APTGF15X120T3G

частка акцыі: 282

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 140W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Ліст з жаданняў
APTGF100DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF100DA120TG

частка акцыі: 363

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 135A, Магутнасць - Макс: 568W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGF150H120G
Microsemi Corporation

APTGF150H120G

частка акцыі: 322

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 961W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APT100GF60JU2
Microsemi Corporation

APT100GF60JU2

частка акцыі: 3038

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APT200GN60JDQ4G
Microsemi Corporation

APT200GN60JDQ4G

частка акцыі: 326

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 283A, Магутнасць - Макс: 682W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APT35GP120JDQ2
Microsemi Corporation

APT35GP120JDQ2

частка акцыі: 2090

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Магутнасць - Макс: 284W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A,

Ліст з жаданняў