Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - модулі
APTGL90DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DH120T3G

частка акцыі: 541

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 385W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGF50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

частка акцыі: 556

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGL60DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

частка акцыі: 534

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 280W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

частка акцыі: 607

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

частка акцыі: 579

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 208W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGF100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

частка акцыі: 542

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Магутнасць - Макс: 780W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGF150A60T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

частка акцыі: 560

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 230A, Магутнасць - Макс: 833W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTCV60HM70BT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

частка акцыі: 5334

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTCV60HM70RT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

частка акцыі: 574

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT70GR120J
Microsemi Corporation

APT70GR120J

частка акцыі: 2416

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 112A, Магутнасць - Макс: 543W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

Ліст з жаданняў
APT50GR120JD30
Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

частка акцыі: 2286

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 84A, Магутнасць - Макс: 417W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT200GN60J
Microsemi Corporation

APT200GN60J

частка акцыі: 2197

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 283A, Магутнасць - Макс: 682W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

частка акцыі: 578

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

частка акцыі: 3071

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

частка акцыі: 594

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF150A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

частка акцыі: 580

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 210A, Магутнасць - Макс: 1041W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGF100A1202G
Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

частка акцыі: 540

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 135A, Магутнасць - Макс: 568W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

частка акцыі: 546

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

частка акцыі: 581

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGF150A120T3WG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

частка акцыі: 600

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 210A, Магутнасць - Макс: 961W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

частка акцыі: 546

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

частка акцыі: 585

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

частка акцыі: 3077

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Магутнасць - Макс: 140W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTCV60TLM99T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

частка акцыі: 609

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter - IGBT, FET, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 90W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTCV90TL12T3G
Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

частка акцыі: 524

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter - IGBT, FET, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 280W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT150GN120JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

частка акцыі: 1322

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 215A, Магутнасць - Макс: 625W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

частка акцыі: 530

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGV75H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

частка акцыі: 491

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGV50H60BG
Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

частка акцыі: 539

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGV50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

частка акцыі: 546

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 270W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGV30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

частка акцыі: 476

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 90W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGV50H120BTPG
Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

частка акцыі: 466

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 270W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

частка акцыі: 528

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 156W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

частка акцыі: 540

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 156W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

частка акцыі: 546

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

частка акцыі: 487

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 115W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

Ліст з жаданняў