Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - модулі
APTGT150SK120G
Microsemi Corporation

APTGT150SK120G

частка акцыі: 884

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 690W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT50TL601G
Microsemi Corporation

APTGT50TL601G

частка акцыі: 1364

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU170TG

частка акцыі: 857

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 560W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APT100GT120JU3
Microsemi Corporation

APT100GT120JU3

частка акцыі: 2103

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGL180A1202G
Microsemi Corporation

APTGL180A1202G

частка акцыі: 876

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 750W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT200TL60G
Microsemi Corporation

APTGT200TL60G

частка акцыі: 424

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300A, Магутнасць - Макс: 652W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGF150DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF150DU120TG

частка акцыі: 79

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 961W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT300SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK60D3G

частка акцыі: 713

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 940W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGT400A60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400A60D3G

частка акцыі: 530

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

Ліст з жаданняў
APTGT300A60TG
Microsemi Corporation

APTGT300A60TG

частка акцыі: 697

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 430A, Магутнасць - Макс: 935W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGT300A170G
Microsemi Corporation

APTGT300A170G

частка акцыі: 353

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 1660W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGT50X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50X60T3G

частка акцыі: 1363

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT75GT120JRDQ3
Microsemi Corporation

APT75GT120JRDQ3

частка акцыі: 1870

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 97A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APT50GF60JU2
Microsemi Corporation

APT50GF60JU2

частка акцыі: 3168

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT150GT120JR
Microsemi Corporation

APT150GT120JR

частка акцыі: 1450

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Магутнасць - Макс: 830W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APT75GT120JU2
Microsemi Corporation

APT75GT120JU2

частка акцыі: 2315

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APT65GP60J
Microsemi Corporation

APT65GP60J

частка акцыі: 2051

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Магутнасць - Макс: 431W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A,

Ліст з жаданняў
APT35GP120J
Microsemi Corporation

APT35GP120J

частка акцыі: 1978

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Магутнасць - Макс: 284W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A,

Ліст з жаданняў
APTGT75TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75TL60T3G

частка акцыі: 1060

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGT600U120D4G
Microsemi Corporation

APTGT600U120D4G

частка акцыі: 398

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 900A, Магутнасць - Макс: 2500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

Ліст з жаданняў
APT70GR120JD60
Microsemi Corporation

APT70GR120JD60

частка акцыі: 1895

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 112A, Магутнасць - Макс: 543W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

Ліст з жаданняў
APTGT100H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100H60T3G

частка акцыі: 1009

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T3G

частка акцыі: 1227

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGT50SK170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170T1G

частка акцыі: 1368

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT45GP120J
Microsemi Corporation

APT45GP120J

частка акцыі: 2085

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 329W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

Ліст з жаданняў
APT46GA90JD40
Microsemi Corporation

APT46GA90JD40

частка акцыі: 2422

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 87A, Магутнасць - Макс: 284W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A,

Ліст з жаданняў
APT80GP60J
Microsemi Corporation

APT80GP60J

частка акцыі: 1872

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 151A, Магутнасць - Макс: 462W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A,

Ліст з жаданняў
APTGT600U170D4G
Microsemi Corporation

APTGT600U170D4G

частка акцыі: 424

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1100A, Магутнасць - Макс: 2900W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

Ліст з жаданняў
APT150GN120J
Microsemi Corporation

APT150GN120J

частка акцыі: 1837

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 215A, Магутнасць - Макс: 625W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTCV60TLM70T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM70T3G

частка акцыі: 3129

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTCV60TLM24T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM24T3G

частка акцыі: 835

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APT150GN60J
Microsemi Corporation

APT150GN60J

частка акцыі: 2460

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 536W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APT50GLQ65JU2
Microsemi Corporation

APT50GLQ65JU2

частка акцыі: 758

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 220W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT100GN120J
Microsemi Corporation

APT100GN120J

частка акцыі: 2064

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 153A, Магутнасць - Макс: 446W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APT200GT60JR
Microsemi Corporation

APT200GT60JR

частка акцыі: 1912

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 195A, Магутнасць - Макс: 500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APT100GT60JR
Microsemi Corporation

APT100GT60JR

частка акцыі: 2919

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 148A, Магутнасць - Макс: 500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў