Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - модулі
APTGT150DA120G
Microsemi Corporation

APTGT150DA120G

частка акцыі: 1025

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 690W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGL475A120D3G
Microsemi Corporation

APTGL475A120D3G

частка акцыі: 507

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 610A, Магутнасць - Макс: 2080W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Ліст з жаданняў
APTGT150A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT150A60T1G

частка акцыі: 1880

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGTQ150TA65TPG
Microsemi Corporation

APTGTQ150TA65TPG

частка акцыі: 285

Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 365W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT75TDU120PG
Microsemi Corporation

APTGT75TDU120PG

частка акцыі: 685

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Triple, Dual - Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 350W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGLQ50H65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T3G

частка акцыі: 285

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 175W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGLQ40H120T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ40H120T1G

частка акцыі: 1701

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
APTGT300A60G
Microsemi Corporation

APTGT300A60G

частка акцыі: 824

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 430A, Магутнасць - Макс: 1150W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA120T1G

частка акцыі: 2132

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGLQ40HR120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40HR120CT3G

частка акцыі: 1678

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
APTGT75H60T2G
Microsemi Corporation

APTGT75H60T2G

частка акцыі: 1713

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGT200A170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200A170D3G

частка акцыі: 586

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGT300DH60G
Microsemi Corporation

APTGT300DH60G

частка акцыі: 698

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 430A, Магутнасць - Макс: 1150W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT20H60T1G

частка акцыі: 2483

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Магутнасць - Макс: 62W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Ліст з жаданняў
APTGT150H120G
Microsemi Corporation

APTGT150H120G

частка акцыі: 519

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 690W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT75DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DA120TG

частка акцыі: 1737

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 357W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGT50A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120T1G

частка акцыі: 1412

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGT30A170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30A170T1G

частка акцыі: 2036

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Магутнасць - Макс: 210W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGL700U120D4G
Microsemi Corporation

APTGL700U120D4G

частка акцыі: 608

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 910A, Магутнасць - Макс: 3000W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Ліст з жаданняў
APTGT400DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA60D3G

частка акцыі: 1098

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

Ліст з жаданняў
APTGT50SK170TG
Microsemi Corporation

APTGT50SK170TG

частка акцыі: 1637

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGT30H170T3G
Microsemi Corporation

APTGT30H170T3G

частка акцыі: 1338

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Магутнасць - Макс: 210W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation

APTGT30TL601G

частка акцыі: 2151

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 90W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGT25X120T3G
Microsemi Corporation

APTGT25X120T3G

частка акцыі: 1534

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 156W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGLQ150H120G
Microsemi Corporation

APTGLQ150H120G

частка акцыі: 301

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 250A, Магутнасць - Макс: 750W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT50SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT50SK120TG

частка акцыі: 1788

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGLQ50TL65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50TL65T3G

частка акцыі: 238

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 175W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGL700DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL700DA120D3G

частка акцыі: 596

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 840A, Магутнасць - Макс: 3000W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Ліст з жаданняў
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation

APTGT150H60TG

частка акцыі: 1078

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DH60TG

частка акцыі: 1515

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT50TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA60PG

частка акцыі: 1144

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100DDA65T3G

частка акцыі: 320

Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT50DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH120TG

частка акцыі: 1402

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGT300A120G
Microsemi Corporation

APTGT300A120G

частка акцыі: 588

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 420A, Магутнасць - Макс: 1380W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGT150DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DH60TG

частка акцыі: 1369

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT400DA120G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120G

частка акцыі: 762

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 560A, Магутнасць - Макс: 1785W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Ліст з жаданняў