Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - модулі
APT100GT120JR
Microsemi Corporation

APT100GT120JR

частка акцыі: 1736

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 123A, Магутнасць - Макс: 570W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APT100GT60JRDQ4
Microsemi Corporation

APT100GT60JRDQ4

частка акцыі: 2045

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 148A, Магутнасць - Макс: 500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGF90H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF90H60T3G

частка акцыі: 1085

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APT100GN120JDQ4
Microsemi Corporation

APT100GN120JDQ4

частка акцыі: 1595

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 153A, Магутнасць - Макс: 446W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APT50GF120JRDQ3
Microsemi Corporation

APT50GF120JRDQ3

частка акцыі: 1110

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Магутнасць - Макс: 521W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APT100GT120JRDQ4
Microsemi Corporation

APT100GT120JRDQ4

частка акцыі: 1462

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 123A, Магутнасць - Макс: 570W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APT60GF120JRDQ3
Microsemi Corporation

APT60GF120JRDQ3

частка акцыі: 910

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 149A, Магутнасць - Макс: 625W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APT60GA60JD60
Microsemi Corporation

APT60GA60JD60

частка акцыі: 2217

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 112A, Магутнасць - Макс: 356W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A,

Ліст з жаданняў
APT45GP120JDQ2
Microsemi Corporation

APT45GP120JDQ2

частка акцыі: 1797

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 329W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

Ліст з жаданняў
APTGL700SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGL700SK120D3G

частка акцыі: 657

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 840A, Магутнасць - Макс: 3000W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Ліст з жаданняў
APTGT300SK60G
Microsemi Corporation

APTGT300SK60G

частка акцыі: 974

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 430A, Магутнасць - Макс: 1150W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGT300DU120G
Microsemi Corporation

APTGT300DU120G

частка акцыі: 642

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 420A, Магутнасць - Макс: 1380W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGT150DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT150DU120TG

частка акцыі: 1106

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 690W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT35H120T3G
Microsemi Corporation

APTGT35H120T3G

частка акцыі: 1698

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Магутнасць - Макс: 208W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Ліст з жаданняў
APTGT100TA120TPG
Microsemi Corporation

APTGT100TA120TPG

частка акцыі: 574

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGLQ25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGLQ25H120T2G

частка акцыі: 324

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 165W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGT200A602G
Microsemi Corporation

APTGT200A602G

частка акцыі: 1730

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 290A, Магутнасць - Макс: 625W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGT300DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA60D3G

частка акцыі: 1121

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 940W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA60T1G

частка акцыі: 2638

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT300DU60G
Microsemi Corporation

APTGT300DU60G

частка акцыі: 576

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 430A, Магутнасць - Макс: 1150W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTCV60HM45BT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM45BT3G

частка акцыі: 1224

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGT750U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT750U60D4G

частка акцыі: 762

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1000A, Магутнасць - Макс: 2300W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 800A,

Ліст з жаданняў
APTGT100A120TG
Microsemi Corporation

APTGT100A120TG

частка акцыі: 1335

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGTQ100SK65T1G
Microsemi Corporation

APTGTQ100SK65T1G

частка акцыі: 313

Канфігурацыя: Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGL240TL120G
Microsemi Corporation

APTGL240TL120G

частка акцыі: 511

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 305A, Магутнасць - Макс: 1000W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGLQ150A120TG
Microsemi Corporation

APTGLQ150A120TG

частка акцыі: 304

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 250A, Магутнасць - Макс: 750W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT600DU60G
Microsemi Corporation

APTGT600DU60G

частка акцыі: 478

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 700A, Магутнасць - Макс: 2300W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Ліст з жаданняў
APTGT75SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT75SK120TG

частка акцыі: 1741

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 357W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGT600SK60G
Microsemi Corporation

APTGT600SK60G

частка акцыі: 634

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 700A, Магутнасць - Макс: 2300W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Ліст з жаданняў
APTGT400U120D4G
Microsemi Corporation

APTGT400U120D4G

частка акцыі: 686

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600A, Магутнасць - Макс: 2250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Ліст з жаданняў
APTGT150DU120G
Microsemi Corporation

APTGT150DU120G

частка акцыі: 806

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 690W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGLQ100A65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ100A65T1G

частка акцыі: 1211

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 350W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT300DA60G
Microsemi Corporation

APTGT300DA60G

частка акцыі: 1016

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 430A, Магутнасць - Макс: 1150W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGLQ200HR120G
Microsemi Corporation

APTGLQ200HR120G

частка акцыі: 726

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300A, Магутнасць - Макс: 1000W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

Ліст з жаданняў
APTGT75H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75H60T1G

частка акцыі: 1184

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGT300DU170G
Microsemi Corporation

APTGT300DU170G

частка акцыі: 302

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 1660W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў