Транзістары - JFET

2N4859

частка акцыі: 1419

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 500pA,

2N4860

частка акцыі: 1372

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4092UB

частка акцыі: 1695

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,

2N4860UB

частка акцыі: 1005

2N5115UB

частка акцыі: 1497

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 1nA,

2N4857

частка акцыі: 1371

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4392UB

частка акцыі: 2522

2N2609

частка акцыі: 256

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 10mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 750mV @ 1A,

2N4091UB

частка акцыі: 1561

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V,

2N4092

частка акцыі: 2296

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,

2N4858

частка акцыі: 1388

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 0.5nA,

2N4859UB

частка акцыі: 1010

2N4857UB

частка акцыі: 1002

2N4391

частка акцыі: 66304

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 1nA,

2N4856

частка акцыі: 1393

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 500pA,

2N4393UB

частка акцыі: 2593

2N4858UB

частка акцыі: 1010

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V,

2N3821

частка акцыі: 2866

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 50V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 0.5nA,

2N4091

частка акцыі: 2228

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V,

2N3823

частка акцыі: 2889

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 8V @ 500pA,

2N5114

частка акцыі: 2096

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 90mA @ 18V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 1nA,

2N5115

частка акцыі: 2081

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 1nA,

2N4391UB

частка акцыі: 2556

2N4093UB

частка акцыі: 1735

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V,

2N4856UB

частка акцыі: 1030

2N5116UB

частка акцыі: 3364

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 1nA,

2N5114UB

частка акцыі: 3411

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 90mA @ 18V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 1nA,

2N3822

частка акцыі: 3492

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 50V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4093

частка акцыі: 3449

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V,

MV2N4393UB

частка акцыі: 3415

MX2N4856

частка акцыі: 3463

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 0.5nA,

JANTX2N4857

частка акцыі: 3433

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 500pA,

JANTX2N4859

частка акцыі: 4492

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 500pA,

MX2N4856UB

частка акцыі: 3467

MX2N4857

частка акцыі: 3479

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 500pA,

MV2N4391UB

частка акцыі: 3478