Дыёды - Выпрамнікі - Масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 13

1N6660

частка акцыі: 559

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

1N7037CCU1

частка акцыі: 4746

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.22V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

1N6659

частка акцыі: 4137

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

5962-1621001VXC

частка акцыі: 4957

Канфігурацыя дыёда: 8 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 140V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.08V @ 700mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

5962-1621001QXC

частка акцыі: 4919

Канфігурацыя дыёда: 8 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 140V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.08V @ 700mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

689-3P

частка акцыі: 4108

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

частка акцыі: 10437

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

частка акцыі: 532

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1700V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 480A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X30D100J

частка акцыі: 3175

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 28A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X31D20J

частка акцыі: 3498

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

частка акцыі: 3829

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

частка акцыі: 3118

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.8V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X101D30J

частка акцыі: 2748

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

частка акцыі: 1164

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 20A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X60D60J

частка акцыі: 3356

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

частка акцыі: 3407

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X31D120J

частка акцыі: 2782

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

частка акцыі: 739

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 50A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

частка акцыі: 842

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X101D100J

частка акцыі: 2286

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 95A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

частка акцыі: 179

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X31D100J

частка акцыі: 3191

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 28A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X61D120J

частка акцыі: 2464

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 53A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X60D120J

частка акцыі: 2442

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 53A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X61D20J

частка акцыі: 3266

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

частка акцыі: 3220

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.1V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X101D120J

частка акцыі: 1994

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 93A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

частка акцыі: 2375

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X100D100J

частка акцыі: 2278

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 95A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

частка акцыі: 14745

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X61DQ60J

частка акцыі: 3789

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.3V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT15D60BCTG

частка акцыі: 21444

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X30D60J

частка акцыі: 4152

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT2X100DQ100J

частка акцыі: 3296

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.7V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT15D100BCTG

частка акцыі: 17440

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.3V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT30D40BCTG

частка акцыі: 10774

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў