Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - модулі
APTGT225A170G
Microsemi Corporation

APTGT225A170G

частка акцыі: 559

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 340A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Ліст з жаданняў
APTGT450DA60G
Microsemi Corporation

APTGT450DA60G

частка акцыі: 807

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 550A, Магутнасць - Макс: 1750W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

Ліст з жаданняў
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation

APTGT200DH60G

частка акцыі: 969

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 290A, Магутнасць - Макс: 625W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGT50A170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170T1G

частка акцыі: 1665

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGLQ200H65G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H65G

частка акцыі: 235

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 270A, Магутнасць - Макс: 680W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGT100H170G
Microsemi Corporation

APTGT100H170G

частка акцыі: 545

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 560W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT50DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DA120TG

частка акцыі: 1830

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGT100TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGT100TDU60PG

частка акцыі: 882

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Triple, Dual - Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU60TG

частка акцыі: 1678

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APT85GR120JD60
Microsemi Corporation

APT85GR120JD60

частка акцыі: 1831

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 116A, Магутнасць - Макс: 543W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A,

Ліст з жаданняў
APT200GN60JDQ4
Microsemi Corporation

APT200GN60JDQ4

частка акцыі: 1985

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 283A, Магутнасць - Макс: 682W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APT150GN60JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN60JDQ4

частка акцыі: 2056

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 536W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGFQ25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGFQ25H120T2G

частка акцыі: 1323

Тып IGBT: NPT and Fieldstop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 227W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGT200A120G
Microsemi Corporation

APTGT200A120G

частка акцыі: 466

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 280A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGT200DU120G
Microsemi Corporation

APTGT200DU120G

частка акцыі: 608

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 280A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APT100GT120JU2
Microsemi Corporation

APT100GT120JU2

частка акцыі: 2200

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTCV60TLM45T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM45T3G

частка акцыі: 3094

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter - IGBT, FET, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APT85GR120J
Microsemi Corporation

APT85GR120J

частка акцыі: 2135

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 116A, Магутнасць - Макс: 543W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A,

Ліст з жаданняў
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation

APTGT75A1202G

частка акцыі: 548

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 357W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30TL60T3G

частка акцыі: 3068

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 90W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APT50GF60JCU2
Microsemi Corporation

APT50GF60JCU2

частка акцыі: 598

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT25GF120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GF120JCU2

частка акцыі: 619

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Магутнасць - Макс: 227W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APT15GF120JCU2
Microsemi Corporation

APT15GF120JCU2

частка акцыі: 601

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Магутнасць - Макс: 156W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Ліст з жаданняў
APT75GN120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3

частка акцыі: 2245

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 124A, Магутнасць - Макс: 379W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DH120T3G

частка акцыі: 608

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T2G

частка акцыі: 565

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

частка акцыі: 1378

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

частка акцыі: 1989

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

частка акцыі: 2465

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Магутнасць - Макс: 170W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

частка акцыі: 620

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 690W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

частка акцыі: 595

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

частка акцыі: 549

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

частка акцыі: 602

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 385W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

частка акцыі: 625

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

частка акцыі: 542

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 280W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

частка акцыі: 1816

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 128A, Магутнасць - Макс: 543W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў