Транзістары - IGBT - модулі

Дом
Транзістары - IGBT - модулі

Microsemi Corporation

APTGLQ200H120G

частка акцыі: 505

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 350A, Магутнасць - Макс: 1000W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT600DA60G

частка акцыі: 718

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 700A, Магутнасць - Макс: 2300W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT75DA60T1G

частка акцыі: 2807

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў

APTGL475U120D4G

Microsemi Corporation

APTGL475U120D4G

частка акцыі: 692

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 610A, Магутнасць - Макс: 2082W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGLQ75H65T1G

частка акцыі: 1579

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў

APTGT100DU120TG

Microsemi Corporation

APTGT100DU120TG

частка акцыі: 1313

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT50DU120TG

частка акцыі: 1568

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў

APTGT300A170D3G

Microsemi Corporation

APTGT300A170D3G

частка акцыі: 469

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 530A, Магутнасць - Макс: 1470W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT150SK170G

частка акцыі: 920

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 250A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT300SK170G

частка акцыі: 631

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 1660W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў

APTGT400A120D3G

Microsemi Corporation

APTGT400A120D3G

частка акцыі: 443

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 580A, Магутнасць - Макс: 2100W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Ліст з жаданняў

APTGL60DDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGL60DDA120T3G

частка акцыі: 1919

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 280W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT100TL170G

частка акцыі: 530

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 560W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў

APTGTQ200A65T3G

Microsemi Corporation

APTGTQ200A65T3G

частка акцыі: 255

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 483W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў

APTGTQ100H65T3G

Microsemi Corporation

APTGTQ100H65T3G

частка акцыі: 237

Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT75X60T3G

частка акцыі: 1419

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT150A120G

частка акцыі: 851

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 690W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT50H60T1G

частка акцыі: 2031

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT225DA170G

частка акцыі: 770

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 340A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT100A60T1G

частка акцыі: 2167

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT225DU170G

частка акцыі: 515

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 340A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Ліст з жаданняў

APTGT200SK60T3AG

Microsemi Corporation

APTGT200SK60T3AG

частка акцыі: 1579

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 290A, Магутнасць - Макс: 750W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT200DH120G

частка акцыі: 709

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 280A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў

APTGL90DDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGL90DDA120T3G

частка акцыі: 1593

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 385W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў

APTGTQ50TA65T3G

Microsemi Corporation

APTGTQ50TA65T3G

частка акцыі: 244

Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 125W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў

APTGTQ200SK65T3G

Microsemi Corporation

APTGTQ200SK65T3G

частка акцыі: 292

Канфігурацыя: Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 483W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT450A60G

частка акцыі: 612

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 550A, Магутнасць - Макс: 1750W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT50H170TG

частка акцыі: 818

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT50H120T3G

частка акцыі: 1389

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 270W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў

APTGT75DH120T3G

Microsemi Corporation

APTGT75DH120T3G

частка акцыі: 1513

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 357W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT40GL120JU3

частка акцыі: 3651

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 220W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT200DA120G

частка акцыі: 955

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 280A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGLQ30H65T3G

частка акцыі: 281

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 95W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT75H120TG

частка акцыі: 963

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 357W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў

APTGLQ25H120T1G

Microsemi Corporation

APTGLQ25H120T1G

частка акцыі: 271

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 165W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTGT75TA120PG

частка акцыі: 672

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 350W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў

556

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»