Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - модулі
APTGT150A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150A120D1G

частка акцыі: 531

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 700W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT150A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150A170D1G

частка акцыі: 504

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 280A, Магутнасць - Макс: 780W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT100TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT100TA60PG

частка акцыі: 499

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK60TG

частка акцыі: 503

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK170D1G

частка акцыі: 535

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 695W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK60T1G

частка акцыі: 475

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK120TG

частка акцыі: 499

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK120D1G

частка акцыі: 504

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 520W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DH170G
Microsemi Corporation

APTGT100DH170G

частка акцыі: 519

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 560W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DSK60T3G

частка акцыі: 465

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DDA60T3G

частка акцыі: 447

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA60TG

частка акцыі: 495

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DA170TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA170TG

частка акцыі: 472

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 560W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA170D1G

частка акцыі: 489

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 695W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA120D1G

частка акцыі: 508

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 520W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA120TG

частка акцыі: 456

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100A170D1G

частка акцыі: 453

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 695W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100A60TG
Microsemi Corporation

APTGT100A60TG

частка акцыі: 489

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT100A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100A120D1G

частка акцыі: 3061

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 520W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGL325SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325SK120D3G

частка акцыі: 506

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 420A, Магутнасць - Макс: 1500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGF90TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGF90TDU60PG

частка акцыі: 489

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Triple, Dual - Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Ліст з жаданняў
APTGL325DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325DA120D3G

частка акцыі: 464

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 420A, Магутнасць - Макс: 1500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGF90SK60TG
Microsemi Corporation

APTGF90SK60TG

частка акцыі: 437

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Ліст з жаданняў
APTGF90TA60PG
Microsemi Corporation

APTGF90TA60PG

частка акцыі: 476

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Ліст з жаданняў
APTGF90SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90SK60T1G

частка акцыі: 509

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Ліст з жаданняў
APTGF90SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90SK60D1G

частка акцыі: 494

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Магутнасць - Макс: 445W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGF90DU60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DU60TG

частка акцыі: 474

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Ліст з жаданняў
APTGF90H60TG
Microsemi Corporation

APTGF90H60TG

частка акцыі: 3062

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Ліст з жаданняў
APTGF90DH60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DH60TG

частка акцыі: 461

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Ліст з жаданняў
APTGF90DA60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DA60TG

частка акцыі: 519

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Ліст з жаданняў
APTGF90DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60D1G

частка акцыі: 3081

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Магутнасць - Макс: 445W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGF90DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60T1G

частка акцыі: 459

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Ліст з жаданняў
APTGF90A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90A60T1G

частка акцыі: 457

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Ліст з жаданняў
APTGF90A60TG
Microsemi Corporation

APTGF90A60TG

частка акцыі: 504

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Ліст з жаданняў
APTGF90A60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90A60D1G

частка акцыі: 3062

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge,

Ліст з жаданняў
APTGF75SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF75SK60D1G

частка акцыі: 467

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 355W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў