Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - модулі
APTGF100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

частка акцыі: 453

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 135A, Магутнасць - Макс: 568W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGF150A120TG
Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

частка акцыі: 3069

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 961W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGF100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

частка акцыі: 453

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 135A, Магутнасць - Макс: 568W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGF100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

частка акцыі: 411

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Магутнасць - Макс: 735W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGF100A120TG
Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

частка акцыі: 435

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 135A, Магутнасць - Макс: 568W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APT60GF60JU3
Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

частка акцыі: 455

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 93A, Магутнасць - Макс: 378W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Ліст з жаданняў
APT60GF60JU2
Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

частка акцыі: 418

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 93A, Магутнасць - Макс: 378W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Ліст з жаданняў
APT50GT120JU3
Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

частка акцыі: 3465

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 347W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT50GT120JU2
Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

частка акцыі: 3433

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 347W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT50GF60JU3
Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

частка акцыі: 448

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT30GF60JU3
Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

частка акцыі: 465

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 58A, Магутнасць - Макс: 192W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APT30GF60JU2
Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

частка акцыі: 416

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 58A, Магутнасць - Макс: 192W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APT100GF60JU3
Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

частка акцыі: 481

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APT75GN120J
Microsemi Corporation

APT75GN120J

частка акцыі: 420

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 124A, Магутнасць - Макс: 379W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APT75GN120JDQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

частка акцыі: 401

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 124A, Магутнасць - Макс: 379W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APT60GT60JR
Microsemi Corporation

APT60GT60JR

частка акцыі: 445

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 93A, Магутнасць - Макс: 378W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Ліст з жаданняў
APT50GP60J
Microsemi Corporation

APT50GP60J

частка акцыі: 2419

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 329W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT50GT120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

частка акцыі: 393

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 72A, Магутнасць - Макс: 379W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT40GP60JDQ2
Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

частка акцыі: 2536

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 86A, Магутнасць - Макс: 284W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

частка акцыі: 469

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 77A, Магутнасць - Макс: 347W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
APT200GN60JG
Microsemi Corporation

APT200GN60JG

частка акцыі: 406

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 283A, Магутнасць - Макс: 682W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APT75GP120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

частка акцыі: 1653

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 128A, Магутнасць - Макс: 543W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGV50H60BT3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

частка акцыі: 1360

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT40GP90JDQ2
Microsemi Corporation

APT40GP90JDQ2

частка акцыі: 2143

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Магутнасць - Макс: 284W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
APT40GP90J
Microsemi Corporation

APT40GP90J

частка акцыі: 2176

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 68A, Магутнасць - Макс: 284W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
APT50GP60JDQ2
Microsemi Corporation

APT50GP60JDQ2

частка акцыі: 2312

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 329W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APT30GP60JDQ1
Microsemi Corporation

APT30GP60JDQ1

частка акцыі: 2849

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 67A, Магутнасць - Макс: 245W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGF50DA120CT1G
Microsemi Corporation

APTGF50DA120CT1G

частка акцыі: 351

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF90DA60CT1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60CT1G

частка акцыі: 336

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT75DH60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DH60T1G

частка акцыі: 3031

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation

APTGT50A1202G

частка акцыі: 3035

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF100A120T3WG
Microsemi Corporation

APTGF100A120T3WG

частка акцыі: 285

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Магутнасць - Макс: 657W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK170D1G

частка акцыі: 351

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Магутнасць - Макс: 520W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK60T1G

частка акцыі: 371

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK120D1G

частка акцыі: 316

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 270W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation

APTGT75A120TG

частка акцыі: 363

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 350W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў