Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - модулі
APTGF75H120TG
Microsemi Corporation

APTGF75H120TG

частка акцыі: 694

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGF75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DH120TG

частка акцыі: 460

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGF75DSK120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DSK120TG

частка акцыі: 487

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGF75DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF75DA60D1G

частка акцыі: 494

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 355W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGF75DDA120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DDA120TG

частка акцыі: 505

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGF660U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF660U60D4G

частка акцыі: 488

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 860A, Магутнасць - Макс: 2800W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 800A,

Ліст з жаданняў
APTGF75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF75DA120T1G

частка акцыі: 480

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
APTGF50X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50X60T3G

частка акцыі: 504

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF530U120D4G
Microsemi Corporation

APTGF530U120D4G

частка акцыі: 478

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 700A, Магутнасць - Макс: 3900W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 600A,

Ліст з жаданняў
APTGF50TDU120PG
Microsemi Corporation

APTGF50TDU120PG

частка акцыі: 3072

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Triple, Dual - Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50TA120PG
Microsemi Corporation

APTGF50TA120PG

частка акцыі: 469

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50SK120T1G

частка акцыі: 439

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF50SK120TG

частка акцыі: 484

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T3G

частка акцыі: 1481

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DU120TG

частка акцыі: 3098

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGF50DH60TG

частка акцыі: 430

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK60T3G

частка акцыі: 463

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA60T3G

частка акцыі: 3088

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50DH120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DH120TG

частка акцыі: 496

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DA120TG

частка акцыі: 424

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DA120T1G

частка акцыі: 439

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50A60T1G

частка акцыі: 518

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF50A120TG
Microsemi Corporation

APTGF50A120TG

частка акцыі: 3078

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF500U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF500U60D4G

частка акцыі: 520

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 625A, Магутнасць - Макс: 2000W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 500A,

Ліст з жаданняў
APTGF50A120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50A120T1G

частка акцыі: 439

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
APTGF400U120D4G
Microsemi Corporation

APTGF400U120D4G

частка акцыі: 3075

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 510A, Магутнасць - Макс: 2500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A,

Ліст з жаданняў
APTGF360U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF360U60D4G

частка акцыі: 479

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 450A, Магутнасць - Макс: 1560W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 360A,

Ліст з жаданняў
APTGF350DU60G
Microsemi Corporation

APTGF350DU60G

частка акцыі: 449

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 430A, Магутнасць - Макс: 1562W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Ліст з жаданняў
APTGF350SK60G
Microsemi Corporation

APTGF350SK60G

частка акцыі: 437

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 430A, Магутнасць - Макс: 1562W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Ліст з жаданняў
APTGF350A60G
Microsemi Corporation

APTGF350A60G

частка акцыі: 508

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 430A, Магутнасць - Макс: 1562W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Ліст з жаданняў
APTGF350DA60G
Microsemi Corporation

APTGF350DA60G

частка акцыі: 424

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 430A, Магутнасць - Макс: 1562W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Ліст з жаданняў
APTGF330SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330SK60D3G

частка акцыі: 514

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 460A, Магутнасць - Макс: 1400W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A,

Ліст з жаданняў
APTGF30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30X60T3G

частка акцыі: 504

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Магутнасць - Макс: 140W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330A60D3G

частка акцыі: 444

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 520A, Магутнасць - Макс: 1560W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A,

Ліст з жаданняў
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T1G

частка акцыі: 469

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Магутнасць - Макс: 140W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T3G

частка акцыі: 491

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Магутнасць - Макс: 140W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў