Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - модулі
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170T1G

частка акцыі: 539

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Магутнасць - Макс: 210W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30H60T3G

частка акцыі: 462

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 90W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DDA60T3G

частка акцыі: 494

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 90W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170T1G

частка акцыі: 474

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Магутнасць - Макс: 210W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT30A60T1G

частка акцыі: 506

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 90W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170D1G

частка акцыі: 525

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Магутнасць - Макс: 210W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170D3G

частка акцыі: 547

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 530A, Магутнасць - Макс: 1470W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30A170D1G

частка акцыі: 458

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Магутнасць - Макс: 210W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA120D3G

частка акцыі: 482

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 440A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK120D3G

частка акцыі: 515

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 440A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25H120T1G

частка акцыі: 449

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 156W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25SK120D1G

частка акцыі: 3101

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 140W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25DA120D1G

частка акцыі: 503

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 140W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120T1G

частка акцыі: 542

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 156W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20X60T3G

частка акцыі: 455

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Магутнасць - Макс: 62W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Ліст з жаданняў
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120D1G

частка акцыі: 495

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 140W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DSK60T3G

частка акцыі: 520

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Магутнасць - Макс: 62W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Ліст з жаданняў
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20H60T3G

частка акцыі: 543

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Магутнасць - Макс: 62W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Ліст з жаданняў
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT20A60T1G

частка акцыі: 446

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Магутнасць - Макс: 62W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Ліст з жаданняў
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK170D3G

частка акцыі: 509

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60TG

частка акцыі: 478

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 290A, Магутнасць - Макс: 625W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK120D3G

частка акцыі: 528

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300A, Магутнасць - Макс: 1050W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT200DA60TG

частка акцыі: 520

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 290A, Магутнасць - Макс: 625W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200DA170D3G

частка акцыі: 465

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation

APTGT200A60TG

частка акцыі: 491

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 290A, Магутнасць - Макс: 625W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170D1G

частка акцыі: 479

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 280A, Магутнасць - Макс: 780W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK60TG

частка акцыі: 527

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK120TG

частка акцыі: 460

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 690W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK120D1G

частка акцыі: 445

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 700W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DU60TG

частка акцыі: 491

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation

APTGT150DU170G

частка акцыі: 520

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 250A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA60TG

частка акцыі: 521

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170D1G

частка акцыі: 476

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 280A, Магутнасць - Макс: 780W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170G

частка акцыі: 517

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 250A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT150DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA120D1G

частка акцыі: 471

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 700W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA120TG

частка акцыі: 482

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 690W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў