Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

Microsemi Corporation

A40MX04-PLG44

частка акцыі: 1201

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA075-TQG100A

частка акцыі: 1203

Усяго біт аператыўнай памяці: 27648, Колькасць уводу-вываду: 66, Колькасць брамы: 75000, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-1PLG68I

частка акцыі: 1206

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-1PQG100

частка акцыі: 1244

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA075-PQG208

частка акцыі: 1220

Усяго біт аператыўнай памяці: 27648, Колькасць уводу-вываду: 158, Колькасць брамы: 75000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX09-FPLG84

частка акцыі: 1255

Колькасць уводу-вываду: 72, Колькасць брамы: 14000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-FGG256

частка акцыі: 1262

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-FG256

частка акцыі: 1127

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V5-FGG144

частка акцыі: 1216

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V5-FG144

частка акцыі: 1284

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-1PLG44I

частка акцыі: 1255

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX09-FVQG100

частка акцыі: 1276

Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 14000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-FG256I

частка акцыі: 1399

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-FGG256I

частка акцыі: 1411

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-PQG100A

частка акцыі: 1232

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-1FGG144

частка акцыі: 1325

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-1FG144

частка акцыі: 1258

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-2PQG208I

частка акцыі: 1264

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 154, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE600-1FG256

частка акцыі: 1244

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 165, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE600-1FGG256

частка акцыі: 1286

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 165, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-2PLG68

частка акцыі: 1270

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-2FG484

частка акцыі: 1334

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 235, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08A-TQG144

частка акцыі: 1337

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08A-TQG100A

частка акцыі: 1302

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-2PLG44

частка акцыі: 1354

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08A-TQG100

частка акцыі: 1300

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-1FG144M

частка акцыі: 2639

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V2-FGG144

частка акцыі: 1561

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-FGG144

частка акцыі: 1405

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-FG144

частка акцыі: 1334

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-PLG68I

частка акцыі: 1373

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-1PLG68

частка акцыі: 1397

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE600-FGG256

частка акцыі: 1356

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 165, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-2FGG256I

частка акцыі: 1328

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-2FG256I

частка акцыі: 1349

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-1VQ100T

частка акцыі: 1365

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў