Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

A54SX16A-1TQG100I

частка акцыі: 818

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-2TQG144

частка акцыі: 855

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-1TQG144I

частка акцыі: 843

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-2VQG80I

частка акцыі: 768

Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-3PLG44

частка акцыі: 783

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-2FG256I

частка акцыі: 992

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-1PQG208

частка акцыі: 871

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 175, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL1000V5-FG256

частка акцыі: 790

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24576, Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL1000V5-FGG256

частка акцыі: 795

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24576, Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-FTQG176

частка акцыі: 798

Колькасць уводу-вываду: 140, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-2VQG80I

частка акцыі: 865

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-2FGG484I

частка акцыі: 796

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 300, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-2FG484I

частка акцыі: 845

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 300, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA150-FG144A

частка акцыі: 883

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 100, Колькасць брамы: 150000, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA150-FGG144A

частка акцыі: 844

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 100, Колькасць брамы: 150000, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-3PQG100

частка акцыі: 850

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLE600V5-FG256

частка акцыі: 902

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 165, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLE600V5-FGG256

частка акцыі: 909

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 165, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-1VQG80I

частка акцыі: 855

Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-FTQG100

частка акцыі: 917

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA150-PQG208A

частка акцыі: 908

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 158, Колькасць брамы: 150000, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL1000V5-CS281

частка акцыі: 829

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24576, Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 215, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-FGG484I

частка акцыі: 840

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 300, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-FG484I

частка акцыі: 889

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 300, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-2PQG208I

частка акцыі: 883

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 154, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000L-1FG256

частка акцыі: 931

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000L-1FGG256

частка акцыі: 896

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-3PLG68I

частка акцыі: 845

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-1VQG80I

частка акцыі: 855

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-FPQG160

частка акцыі: 852

Колькасць уводу-вываду: 125, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-PQG208A

частка акцыі: 892

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 175, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA150-PQG208

частка акцыі: 949

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 158, Колькасць брамы: 150000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-FGG144I

частка акцыі: 1022

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-1FGG484I

частка акцыі: 863

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 300, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-1FG484I

частка акцыі: 885

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 300, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08A-2TQG100I

частка акцыі: 913

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў