Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

A54SX08A-1TQG144I

частка акцыі: 934

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08A-2TQG144

частка акцыі: 954

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS250-2FG256

частка акцыі: 910

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 114, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS250-2FGG256

частка акцыі: 946

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 114, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE600-2FG484I

частка акцыі: 878

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 270, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-3PLG44I

частка акцыі: 961

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA150-TQG100A

частка акцыі: 922

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 66, Колькасць брамы: 150000, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE600-2FGG484I

частка акцыі: 917

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 270, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-1FGG484

частка акцыі: 907

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 300, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-2VQG80

частка акцыі: 890

Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-TQG144I

частка акцыі: 943

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-TQG100I

частка акцыі: 971

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-1TQG144

частка акцыі: 916

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-1TQG100

частка акцыі: 895

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-2PLG84I

частка акцыі: 926

Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600L-FG144I

частка акцыі: 925

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-1PQG100I

частка акцыі: 987

Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-FVQG100

частка акцыі: 947

Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-PQG208I

частка акцыі: 971

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 154, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-2PLG68I

частка акцыі: 912

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-1PQG208I

частка акцыі: 913

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 154, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V5-FGG144I

частка акцыі: 995

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-2VQG80

частка акцыі: 932

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA150-TQG100

частка акцыі: 957

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 66, Колькасць брамы: 150000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-2FG484

частка акцыі: 962

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 300, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-2FGG484

частка акцыі: 957

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 300, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-2FGG256I

частка акцыі: 991

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-1FGG256T

частка акцыі: 929

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-1FG256T

частка акцыі: 930

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-FPQG100

частка акцыі: 945

Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-2PLG44I

частка акцыі: 947

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX09-FTQG176

частка акцыі: 952

Колькасць уводу-вываду: 104, Колькасць брамы: 14000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V2-FGG144

частка акцыі: 923

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-FGG256I

частка акцыі: 952

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000-FG256I

частка акцыі: 993

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V5-FG256I

частка акцыі: 1022

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў