Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

Microsemi Corporation

A42MX16-PQG160

частка акцыі: 529

Колькасць уводу-вываду: 125, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS250-2FGG256I

частка акцыі: 636

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 114, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS250-2FG256I

частка акцыі: 572

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 114, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX09-2PLG84I

частка акцыі: 566

Колькасць уводу-вываду: 72, Колькасць брамы: 14000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-TQG100I

частка акцыі: 627

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1TQG100

частка акцыі: 639

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL1000V2-FG256I

частка акцыі: 673

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24576, Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS600-FGG256

частка акцыі: 644

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 119, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-TQG100A

частка акцыі: 629

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX09-2PQG100I

частка акцыі: 548

Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 14000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN125V5-ZCSG81I

частка акцыі: 8518

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 60, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL125V5-VQG100I

частка акцыі: 8564

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN030V5-ZQNG48

частка акцыі: 8513

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 768, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX09-2VQG100I

частка акцыі: 638

Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 14000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN250-Z2VQG100

частка акцыі: 8518

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1TQG176

частка акцыі: 8325

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 147, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLE3000V2-FGG896

частка акцыі: 8295

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 75264, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1440A-PLG84I

частка акцыі: 7877

Колькасць LAB / CLB: 564, Колькасць уводу-вываду: 70, Колькасць брамы: 4000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS600-1FG484

частка акцыі: 654

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 172, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS600-1FGG484

частка акцыі: 581

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 172, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A10V20B-PLG84C

частка акцыі: 8240

Колькасць LAB / CLB: 547, Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 2000, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 3.6V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1020B-PLG84I

частка акцыі: 8147

Колькасць LAB / CLB: 547, Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 2000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1020B-CQ84M

частка акцыі: 8090

Колькасць LAB / CLB: 547, Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 2000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-FG256

частка акцыі: 649

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 203, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS250-1FGG256I

частка акцыі: 628

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 114, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA150-TQG100I

частка акцыі: 656

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 66, Колькасць брамы: 150000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS250-1FG256I

частка акцыі: 629

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 114, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX09-2PQG100

частка акцыі: 614

Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 14000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08-FGG144

частка акцыі: 611

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08-FG144

частка акцыі: 662

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-VQG100M

частка акцыі: 657

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX250-FG256

частка акцыі: 596

Колькасць LAB / CLB: 4224, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 138, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX250-FGG256

частка акцыі: 621

Колькасць LAB / CLB: 4224, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 138, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,