Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

A3P250-2FG256I

частка акцыі: 2618

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-FG256I

частка акцыі: 2654

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-FGG256I

частка акцыі: 2637

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-VQ100T

частка акцыі: 2674

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-VQG100T

частка акцыі: 2689

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V5-CS201I

частка акцыі: 2619

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 120, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-FGG256

частка акцыі: 3048

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V2-CSG289

частка акцыі: 2731

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 120, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V2-CS289

частка акцыі: 2728

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 120, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V2-FGG144

частка акцыі: 2488

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-PQG208I

частка акцыі: 2837

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 151, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-1FG256I

частка акцыі: 2805

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-1FGG256I

частка акцыі: 2853

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-2PQG208I

частка акцыі: 2879

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 151, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V2-CS196I

частка акцыі: 2832

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 143, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V5-VQG128I

частка акцыі: 2914

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 101, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-FGG144I

частка акцыі: 3203

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V5-CS289

частка акцыі: 2854

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 120, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V5-CSG289

частка акцыі: 2875

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 120, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V2-VQ100I

частка акцыі: 3039

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-2FG256

частка акцыі: 2997

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-2FGG256

частка акцыі: 2951

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-1PQG208I

частка акцыі: 3093

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 151, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V2-CSG196I

частка акцыі: 3139

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 143, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V5-FGG144

частка акцыі: 2891

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V5-FG144I

частка акцыі: 3102

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V5-CS196I

частка акцыі: 3186

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 143, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V2-FG144

частка акцыі: 3189

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-PQG208

частка акцыі: 3265

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 151, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN250V2-CSG81I

частка акцыі: 3237

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 60, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-1FGG256

частка акцыі: 3207

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-1FG256

частка акцыі: 3281

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-2PQG208

частка акцыі: 3227

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 151, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V2-CS196

частка акцыі: 2599

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 143, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-FGG144

частка акцыі: 3713

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP060V2-VQG176

частка акцыі: 3312

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1584, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 137, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў