Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

A3P250-1VQG100T

частка акцыі: 1413

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-1PQG208I

частка акцыі: 1360

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 154, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-FG144T

частка акцыі: 1352

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-PLG44

частка акцыі: 1406

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-1FGG484

частка акцыі: 1393

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 235, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-1FG484

частка акцыі: 1389

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 235, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-FTQG100

частка акцыі: 1368

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-FTQG144

частка акцыі: 1371

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-PLG68A

частка акцыі: 1431

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-PLG44I

частка акцыі: 1419

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-1PLG44

частка акцыі: 1463

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP125V5-CSG289I

частка акцыі: 1473

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3120, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 212, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600L-1FG144

частка акцыі: 1409

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-PLG68

частка акцыі: 1449

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-1FG256I

частка акцыі: 1477

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-1FGG256I

частка акцыі: 1482

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-PQG208

частка акцыі: 1466

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 154, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-PQG208I

частка акцыі: 1545

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 154, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-2PQG208I

частка акцыі: 1483

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 151, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-1FGG144T

частка акцыі: 1531

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-1FG144T

частка акцыі: 1479

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP060V2-CS289I

частка акцыі: 1526

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1584, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V2-FG256

частка акцыі: 1531

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V2-FGG256

частка акцыі: 1559

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-2PQG208

частка акцыі: 1512

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 154, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-2FG256

частка акцыі: 1609

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-2FGG256

частка акцыі: 1552

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-1PQG208

частка акцыі: 1605

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 154, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V5-FG256

частка акцыі: 1556

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,