Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

Microsemi Corporation

A40MX04-FPLG68

частка акцыі: 1946

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-FPLG44

частка акцыі: 1998

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-1PQG208

частка акцыі: 2000

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 151, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-1FGG256

частка акцыі: 2030

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-1FG256

частка акцыі: 2073

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-VQG100T

частка акцыі: 2090

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-VQ100T

частка акцыі: 2053

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V5-CS196

частка акцыі: 2120

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 143, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA150-BG456I

частка акцыі: 5357

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 242, Колькасць брамы: 150000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-FPQ208

частка акцыі: 825

Колькасць уводу-вываду: 140, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP060V2-CSG201I

частка акцыі: 2102

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1584, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP060V2-CS201I

частка акцыі: 2115

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1584, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-1FGG144I

частка акцыі: 2106

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-1FG144I

частка акцыі: 2152

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-FG144T

частка акцыі: 2088

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 96, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-FG256

частка акцыі: 2203

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V5-FGG144I

частка акцыі: 2468

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP125V5-CS289

частка акцыі: 2200

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3120, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 212, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-2FGG144

частка акцыі: 2240

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-2FG144

частка акцыі: 2217

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-FPLG68

частка акцыі: 2212

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-1VQ100T

частка акцыі: 2311

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-1VQG100T

частка акцыі: 2256

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP125V2-CSG281

частка акцыі: 2276

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3120, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 212, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP125V2-CS281

частка акцыі: 2315

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3120, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 212, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP060V5-CS201I

частка акцыі: 2298

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1584, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP060V5-CSG201I

частка акцыі: 2356

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1584, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP125V5-CS281

частка акцыі: 2404

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3120, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 212, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP060V2-CS289

частка акцыі: 2393

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1584, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V2-FG144I

частка акцыі: 2792

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-1FGG144

частка акцыі: 2413

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-1FG144

частка акцыі: 2403

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-FPLG44

частка акцыі: 2485

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP060V5-CS289

частка акцыі: 2552

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1584, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V2-CS201I

частка акцыі: 2520

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 120, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V2-VQG128I

частка акцыі: 2610

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 101, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў