Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

A54SX32A-TQ100M

частка акцыі: 145

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-TQ144M

частка акцыі: 198

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-PQ208M

частка акцыі: 207

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 174, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-FG144M

частка акцыі: 7510

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-FGG144M

частка акцыі: 7507

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-CQ256M

частка акцыі: 7495

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 228, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1TQG176M

частка акцыі: 7556

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 147, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA300-PQ208M

частка акцыі: 228

Усяго біт аператыўнай памяці: 73728, Колькасць уводу-вываду: 158, Колькасць брамы: 300000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1TQ100M

частка акцыі: 169

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1TQ144M

частка акцыі: 153

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1FGG484M

частка акцыі: 7417

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 249, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1FGG144M

частка акцыі: 2791

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1FG484M

частка акцыі: 7417

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 249, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1FG256M

частка акцыі: 7466

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 203, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-PQ208M

частка акцыі: 257

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 175, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-TQ100M

частка акцыі: 288

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-FGG144M

частка акцыі: 7329

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-FG144M

частка акцыі: 2792

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-FG256M

частка акцыі: 2810

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 180, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA300-CQ352M

частка акцыі: 7295

Усяго біт аператыўнай памяці: 73728, Колькасць уводу-вываду: 248, Колькасць брамы: 300000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA1000-CQ352M

частка акцыі: 7269

Усяго біт аператыўнай памяці: 202752, Колькасць уводу-вываду: 248, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-1TQ100M

частка акцыі: 226

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-1FG256M

частка акцыі: 2745

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 180, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-1FGG144M

частка акцыі: 2795

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-2FGG144I

частка акцыі: 4586

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-2FG144I

частка акцыі: 4677

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE600L-1FGG484M

частка акцыі: 7261

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 270, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE600L-1FG484M

частка акцыі: 2818

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 270, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE3000L-FG896M

частка акцыі: 7269

Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V2-FGG144T

частка акцыі: 7225

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE3000L-1FG896M

частка акцыі: 7181

Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-1PQG208

частка акцыі: 4656

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 133, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V2-FGG256T

частка акцыі: 2805

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V2-FG144T

частка акцыі: 7201

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V2-FGG256T

частка акцыі: 7207

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V2-FGG144T

частка акцыі: 7162

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў