Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

Дом
Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

Microsemi Corporation

AX500-PQ208M

частка акцыі: 104

Колькасць LAB / CLB: 8064, Усяго біт аператыўнай памяці: 73728, Колькасць уводу-вываду: 115, Колькасць брамы: 500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX250-1FGG256M

частка акцыі: 6237

Колькасць LAB / CLB: 4224, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 138, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX250-1CQ208M

частка акцыі: 6208

Колькасць LAB / CLB: 4224, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 115, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX2000-CQ256M

частка акцыі: 6255

Колькасць LAB / CLB: 32256, Усяго біт аператыўнай памяці: 294912, Колькасць уводу-вываду: 136, Колькасць брамы: 2000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX2000-1CQ256M

частка акцыі: 6157

Колькасць LAB / CLB: 32256, Усяго біт аператыўнай памяці: 294912, Колькасць уводу-вываду: 136, Колькасць брамы: 2000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-CQ352M

частка акцыі: 6140

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 198, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-1CQ352M

частка акцыі: 6116

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 198, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-CGS624M

частка акцыі: 6101

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 418, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

AX1000-1CGS624M

Microsemi Corporation

AX1000-1CGS624M

частка акцыі: 6117

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 418, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-FG144

частка акцыі: 4674

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

A3PN250-1VQG100I

Microsemi Corporation

A3PN250-1VQG100I

частка акцыі: 4664

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

A3PN250-1VQ100I

Microsemi Corporation

A3PN250-1VQ100I

частка акцыі: 4711

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

AGLN250V5-VQ100

Microsemi Corporation

AGLN250V5-VQ100

частка акцыі: 4702

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-2VQ100I

частка акцыі: 4764

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

A3P125-2VQG100I

Microsemi Corporation

A3P125-2VQG100I

частка акцыі: 4794

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-1VQG100

частка акцыі: 4831

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-1VQ100

частка акцыі: 4745

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

AGLP030V5-VQG128

Microsemi Corporation

AGLP030V5-VQG128

частка акцыі: 4809

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 101, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL125V2-VQ100

частка акцыі: 4889

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

A54SX16A-FGG144A

Microsemi Corporation

A54SX16A-FGG144A

частка акцыі: 1461

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

A54SX16A-FG144A

Microsemi Corporation

A54SX16A-FG144A

частка акцыі: 1384

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

A54SX32A-FGG144A

Microsemi Corporation

A54SX32A-FGG144A

частка акцыі: 1369

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-VQG100T

частка акцыі: 1445

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

A54SX16A-TQ100A

Microsemi Corporation

A54SX16A-TQ100A

частка акцыі: 978

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250-FGG144T

частка акцыі: 1397

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA075-TQ100A

частка акцыі: 1226

Усяго біт аператыўнай памяці: 27648, Колькасць уводу-вываду: 66, Колькасць брамы: 75000, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-VQ80A

частка акцыі: 1020

Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

A54SX08A-FG144A

Microsemi Corporation

A54SX08A-FG144A

частка акцыі: 1385

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

A54SX08A-TQ100A

Microsemi Corporation

A54SX08A-TQ100A

частка акцыі: 1353

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-VQ100A

частка акцыі: 488

Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

A54SX16A-FGG256A

Microsemi Corporation

A54SX16A-FGG256A

частка акцыі: 1367

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 180, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-VQ80A

частка акцыі: 1018

Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

A54SX32A-TQ100A

Microsemi Corporation

A54SX32A-TQ100A

частка акцыі: 587

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-FGG144T

частка акцыі: 1190

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 96, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

A54SX08A-FGG144A

Microsemi Corporation

A54SX08A-FGG144A

частка акцыі: 1195

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA150-TQ100A

частка акцыі: 882

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 66, Колькасць брамы: 150000, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V,

Ліст з жаданняў

3600

«
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
»