Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

APA075-TQG100

частка акцыі: 1620

Усяго біт аператыўнай памяці: 27648, Колькасць уводу-вываду: 66, Колькасць брамы: 75000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-FVQG80

частка акцыі: 1620

Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-PQG208I

частка акцыі: 1709

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 151, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP060V5-CS289I

частка акцыі: 1732

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1584, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP060V5-CSG289I

частка акцыі: 1652

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1584, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 157, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-1FGG144I

частка акцыі: 1654

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-2FG144

частка акцыі: 1675

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V2-CSG289I

частка акцыі: 1767

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 120, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V2-CS289I

частка акцыі: 1678

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 120, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08A-FTQG100

частка акцыі: 1765

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-FGG144T

частка акцыі: 1745

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-FG144T

частка акцыі: 1725

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-FG256

частка акцыі: 1711

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-FGG256

частка акцыі: 1739

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-1PQG208I

частка акцыі: 1766

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 151, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-1FGG256I

частка акцыі: 1780

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-1FG256I

частка акцыі: 1819

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-1VQ100T

частка акцыі: 1832

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-1VQG100T

частка акцыі: 1852

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V5-CSG289I

частка акцыі: 1826

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 120, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V5-CS289I

частка акцыі: 1807

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 120, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-1FG144T

частка акцыі: 1798

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 96, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-1FGG144T

частка акцыі: 1849

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 96, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-1FGG144

частка акцыі: 1834

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-1FG144

частка акцыі: 1883

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-2PQG208

частка акцыі: 1824

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 151, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-2FG256

частка акцыі: 1905

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-2FGG256

частка акцыі: 1854

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-FPLG84

частка акцыі: 1943

Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-PQG208

частка акцыі: 1910

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 151, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V2-CS196

частка акцыі: 1965

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 143, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-FGG256

частка акцыі: 1942

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-FGG256I

частка акцыі: 1899

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-FG256I

частка акцыі: 1919

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP125V2-CS289

частка акцыі: 1929

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3120, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 212, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-2FGG144I

частка акцыі: 1979

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў