Дыёды - моставыя выпрамнікі | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

SC3BK4F

частка акцыі: 325

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 11A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 9A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 9µA @ 400V,

Пажаданні

Semtech Corporation

SBR10F

частка акцыі: 903

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1000V,

Пажаданні

Semtech Corporation

SCBH2F

частка акцыі: 1066

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 200V,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-160MT160KPBF

частка акцыі: 892

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 160A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU4A-M3/45

частка акцыі: 91486

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100MT160PBPBF

частка акцыі: 1997

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.51V @ 100A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-51MT80KPBF

частка акцыі: 862

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 55A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-130MT160C

частка акцыі: 174

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 130A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.05V @ 300A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC25005-E4/51

частка акцыі: 17621

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC104

частка акцыі: 87473

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF04SA-E3/77

частка акцыі: 127244

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8K-M3/51

частка акцыі: 85620

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF01S-E3/77

частка акцыі: 132392

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBL04-E4/51

частка акцыі: 59135

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBU6B-E4/51

частка акцыі: 19358

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1007 D2G

частка акцыі: 207

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні

Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P02G C2G

частка акцыі: 164

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні

Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P04G D2G

частка акцыі: 217

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P01GHD2G

частка акцыі: 160

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P04GHD2G

частка акцыі: 239

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P05G D2G

частка акцыі: 4917

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні

Taiwan Semiconductor Corporation

KBPF305G B0G

частка акцыі: 8776

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні

IXYS

VBO54-16NO7

частка акцыі: 4998

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 54A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 1600V,

Пажаданні

IXYS

VUM85-05A

частка акцыі: 893

Дыёдны тып: Three Phase (PFC Module), Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 500V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 47A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 45A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500µA @ 600V,

Пажаданні

IXYS

VUE35-06NO7

частка акцыі: 4559

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 56A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.01V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 600V,

Пажаданні

IXYS

VBO130-18NO7

частка акцыі: 1159

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.8kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 122A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.65V @ 300A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 1800V,

Пажаданні

IXYS

VUO52-22NO1

частка акцыі: 1963

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 2.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.13V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 2200V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

GBJ2501-BP

частка акцыі: 40705

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

GBU6G-BP

частка акцыі: 83241

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

KBP306G-BP

частка акцыі: 11198

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

GBJ5010-BP

частка акцыі: 27804

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

GBJ1510-BP

частка акцыі: 55137

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні

Central Semiconductor Corp

CBRLDSH1-40 TR13

частка акцыі: 186849

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 40V,

Пажаданні

ON Semiconductor

GBPC2506W

частка акцыі: 1854

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні

ON Semiconductor

GBPC3504W

частка акцыі: 23810

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні

Comchip Technology

CDBHD160L-G

частка акцыі: 120993

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 625mV @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500µA @ 60V,

Пажаданні