Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - моставыя выпрамнікі

SCAJ4F
Semtech Corporation

SCAJ4F

частка акцыі: 700

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 400V,

Пажаданні
SC3BJ1F
Semtech Corporation

SC3BJ1F

частка акцыі: 500

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 100V,

Пажаданні
SBMA2F
Semtech Corporation

SBMA2F

частка акцыі: 1190

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 200V,

Пажаданні
GBU6G-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6G-M3/51

частка акцыі: 87559

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
GBU6A-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6A-M3/51

частка акцыі: 87599

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
DFL1502S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

DFL1502S-E3/45

частка акцыі: 164663

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
GBU6G-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6G-E3/51

частка акцыі: 85985

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
G5SBA80-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G5SBA80-M3/45

частка акцыі: 82075

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
GBPC1508-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1508-E4/51

частка акцыі: 23949

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
VS-26MT10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MT10

частка акцыі: 4715

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 100V,

Пажаданні
GBU6B-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6B-M3/51

частка акцыі: 87595

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
VS-26MB140A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MB140A

частка акцыі: 6499

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1400V,

Пажаданні
DF01SA-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

DF01SA-E3/45

частка акцыі: 122956

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
VS-110MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110MT120KPBF

частка акцыі: 1010

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 110A,

Пажаданні
VS-36MB60A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-36MB60A

частка акцыі: 10053

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
GBJ1510TB
SMC Diode Solutions

GBJ1510TB

частка акцыі: 65401

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
GBPC2506WTA
SMC Diode Solutions

GBPC2506WTA

частка акцыі: 27637

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
VUO60-14NO3
IXYS

VUO60-14NO3

частка акцыі: 2672

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 72A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 150A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 1400V,

Пажаданні
VUO86-12NO7
IXYS

VUO86-12NO7

частка акцыі: 5471

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 86A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.14V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 1200V,

Пажаданні
FBO16-12N
IXYS

FBO16-12N

частка акцыі: 13533

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 22A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.43V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1200V,

Пажаданні
VUO80-14NO1
IXYS

VUO80-14NO1

частка акцыі: 2352

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 82A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.14V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 1400V,

Пажаданні
VUI30-12N1
IXYS

VUI30-12N1

частка акцыі: 2159

Дыёдны тып: Three Phase (PFC Module), Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.4V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 750µA @ 1200V,

Пажаданні
VUO98-12NO7
IXYS

VUO98-12NO7

частка акцыі: 3751

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.14V @ 40A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1200V,

Пажаданні
VUM33-05N
IXYS

VUM33-05N

частка акцыі: 1354

Дыёдны тып: Single Phase (PFC Module), Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 54A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1.5mA @ 600V,

Пажаданні
VUM24-05N
IXYS

VUM24-05N

частка акцыі: 1900

Дыёдны тып: Single Phase (PFC Module), Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.65V @ 22A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1.5mA @ 600V,

Пажаданні
VBO78-16NO7
IXYS

VBO78-16NO7

частка акцыі: 3458

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 78A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.14V @ 40A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1600V,

Пажаданні
VBO13-16NO2
IXYS

VBO13-16NO2

частка акцыі: 3624

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 55A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 1600V,

Пажаданні
CD-MBL208S
Bourns Inc.

CD-MBL208S

частка акцыі: 179819

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
GBJ2510-03-G
Comchip Technology

GBJ2510-03-G

частка акцыі: 119

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
DB105-G
Comchip Technology

DB105-G

частка акцыі: 193202

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
GBPC1501W-G
Comchip Technology

GBPC1501W-G

частка акцыі: 36197

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
DBLS101GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS101GHC1G

частка акцыі: 153

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 50V,

Пажаданні
TS15PL06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15PL06GHD2G

частка акцыі: 205

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
GBPC4004 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4004 T0G

частка акцыі: 155

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
GBJL2008-BP
Micro Commercial Co

GBJL2008-BP

частка акцыі: 137693

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
GBJ1502-BP
Micro Commercial Co

GBJ1502-BP

частка акцыі: 55083

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні