Дыёды - моставыя выпрамнікі

CBR4MF-L010

CBR4MF-L010

частка акцыі: 8835

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні
CBR1F-D060

CBR1F-D060

частка акцыі: 8768

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
GBU2507 D2

GBU2507 D2

частка акцыі: 5234

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
TS15P05G-K D2G

TS15P05G-K D2G

частка акцыі: 8768

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
KBP153G C2

KBP153G C2

частка акцыі: 2958

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
DBLS105G RDG

DBLS105G RDG

частка акцыі: 6473

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 600V,

Пажаданні
MMB2G-G

MMB2G-G

частка акцыі: 8792

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 800mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
TB8S-G

TB8S-G

частка акцыі: 149053

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
MP1004G-G

MP1004G-G

частка акцыі: 45535

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
DF202ST-G

DF202ST-G

частка акцыі: 103374

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
KBP201G-G

KBP201G-G

частка акцыі: 114499

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні
MMB8G-HF

MMB8G-HF

частка акцыі: 8759

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 800mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
VBO65-16NO7

VBO65-16NO7

частка акцыі: 1896

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 65A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 150A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500µA @ 1600V,

Пажаданні
VBO30-14NO7

VBO30-14NO7

частка акцыі: 2322

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 150A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 1400V,

Пажаданні
VUO27-08NO7

VUO27-08NO7

частка акцыі: 4176

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 28A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.12V @ 7A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 800V,

Пажаданні
VBO65-14NO7

VBO65-14NO7

частка акцыі: 1978

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 65A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 150A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500µA @ 1400V,

Пажаданні
GBJ1504-BP

GBJ1504-BP

частка акцыі: 55107

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
GBU15D-BP

GBU15D-BP

частка акцыі: 55140

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
GBU15M-BP

GBU15M-BP

частка акцыі: 55136

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
KBP206-BP

KBP206-BP

частка акцыі: 101756

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
GBJ15005-BP

GBJ15005-BP

частка акцыі: 55077

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
MB10S-TP

MB10S-TP

частка акцыі: 185681

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
UG2KB100TB

UG2KB100TB

частка акцыі: 143587

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
GBJ1010TB

GBJ1010TB

частка акцыі: 73318

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
UG4KB100TB

UG4KB100TB

частка акцыі: 133203

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
GBU410TB

GBU410TB

частка акцыі: 109342

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
GBU406TB

GBU406TB

частка акцыі: 109372

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
GBU610GTB

GBU610GTB

частка акцыі: 83284

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
GBL08-E3/51

GBL08-E3/51

частка акцыі: 129674

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
VS-2KBB100R

VS-2KBB100R

частка акцыі: 54302

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.9A,

Пажаданні
KBU6B

KBU6B

частка акцыі: 2856

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
DF01S2

DF01S2

частка акцыі: 128533

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 100V,

Пажаданні
GBPC2508W

GBPC2508W

частка акцыі: 1992

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
GBJ810-F

GBJ810-F

частка акцыі: 34705

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
GBJ2010-F

GBJ2010-F

частка акцыі: 32313

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
GBU402

GBU402

частка акцыі: 61088

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні