Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - моставыя выпрамнікі

GSIB2580-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2580-E3/45

частка акцыі: 33174

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
VS-1KAB10E
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1KAB10E

частка акцыі: 43359

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні
VS-36MT10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-36MT10

частка акцыі: 5388

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні
VS-2KBB10R
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB10R

частка акцыі: 41933

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.9A,

Пажаданні
GBL08-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL08-E3/45

частка акцыі: 59095

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
VS-1KAB60E
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1KAB60E

частка акцыі: 58674

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.2A,

Пажаданні
GSIB620-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB620-E3/45

частка акцыі: 76587

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
VS-KBPC110
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC110

частка акцыі: 54342

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
KBU4J-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

KBU4J-E4/51

частка акцыі: 27666

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
VS-KBPC604PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC604PBF

частка акцыі: 31714

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
DF005SA-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division

DF005SA-E3/77

частка акцыі: 163795

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
FUO22-12N
IXYS

FUO22-12N

частка акцыі: 9420

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 28A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.62V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1200V,

Пажаданні
VBO45-14NO7
IXYS

VBO45-14NO7

частка акцыі: 2159

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 45A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 150A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500µA @ 1400V,

Пажаданні
VUB116-16NOXT
IXYS

VUB116-16NOXT

частка акцыі: 1018

Дыёдны тып: Three Phase (Braking), Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.76V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1600V,

Пажаданні
VBO125-18NO7
IXYS

VBO125-18NO7

частка акцыі: 955

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.8kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 124A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 150A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 1800V,

Пажаданні
VUO190-18NO7
IXYS

VUO190-18NO7

частка акцыі: 947

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.8kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 248A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.07V @ 80A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200µA @ 1800V,

Пажаданні
VUO84-16NO7
IXYS

VUO84-16NO7

частка акцыі: 2028

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 90A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.08V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1600V,

Пажаданні
DFB20100
ON Semiconductor

DFB20100

частка акцыі: 62830

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
GBPC1510
ON Semiconductor

GBPC1510

частка акцыі: 25139

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
GBPC1504W
ON Semiconductor

GBPC1504W

частка акцыі: 1811

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
GBPC2506
ON Semiconductor

GBPC2506

частка акцыі: 25157

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
RABS15M REG
Taiwan Semiconductor Corporation

RABS15M REG

частка акцыі: 4339

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1000V,

Пажаданні
GBU605 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU605 D2G

частка акцыі: 6408

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
TS4K60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS4K60 D3G

частка акцыі: 3336

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
GBJ1004-BP
Micro Commercial Co

GBJ1004-BP

частка акцыі: 55142

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
PB610-BP
Micro Commercial Co

PB610-BP

частка акцыі: 42865

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
GBJ3504-BP
Micro Commercial Co

GBJ3504-BP

частка акцыі: 36321

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
GBU15G-BP
Micro Commercial Co

GBU15G-BP

частка акцыі: 55060

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
GBU4K-BP
Micro Commercial Co

GBU4K-BP

частка акцыі: 83237

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
GBPC5006-G
Comchip Technology

GBPC5006-G

частка акцыі: 20971

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
MMB1G-G
Comchip Technology

MMB1G-G

частка акцыі: 8834

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 800mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
KBL410-G
Comchip Technology

KBL410-G

частка акцыі: 55150

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
CBR1F-D010
Central Semiconductor Corp

CBR1F-D010

частка акцыі: 8774

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні
CBR1U-D020S H
Central Semiconductor Corp

CBR1U-D020S H

частка акцыі: 8822

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
CBR1F-040
Central Semiconductor Corp

CBR1F-040

частка акцыі: 28735

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
DB157TB
SMC Diode Solutions

DB157TB

частка акцыі: 128474

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні