Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - моставыя выпрамнікі

KBPC3506-G
Comchip Technology

KBPC3506-G

частка акцыі: 25448

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
GBPC2504-G
Comchip Technology

GBPC2504-G

частка акцыі: 32610

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
MD250S16M3-BP
Micro Commercial Co

MD250S16M3-BP

частка акцыі: 1503

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 300A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500µA @ 1600V,

Пажаданні
SDB154-TP
Micro Commercial Co

SDB154-TP

частка акцыі: 189850

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
GBJ1501-BP
Micro Commercial Co

GBJ1501-BP

частка акцыі: 116133

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні
VBO130-12NO7
IXYS

VBO130-12NO7

частка акцыі: 1328

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 122A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 120A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200µA @ 1200V,

Пажаданні
VUO35-08NO7
IXYS

VUO35-08NO7

частка акцыі: 2890

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 38A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 800V,

Пажаданні
VUO52-08NO1
IXYS

VUO52-08NO1

частка акцыі: 2849

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 54A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.13V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 800V,

Пажаданні
VBO52-08NO7
IXYS

VBO52-08NO7

частка акцыі: 2581

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 52A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.14V @ 40A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 800V,

Пажаданні
VBO50-12NO7
IXYS

VBO50-12NO7

частка акцыі: 1916

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.14V @ 40A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1200V,

Пажаданні
VUO34-08NO1
IXYS

VUO34-08NO1

частка акцыі: 2999

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 36A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.13V @ 50A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 800V,

Пажаданні
TS15P01GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P01GHD2G

частка акцыі: 214

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
TS15PL06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15PL06GHC2G

частка акцыі: 175

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
TS20P02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P02G D2G

частка акцыі: 155

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні
TS15P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P05GHD2G

частка акцыі: 189

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
GBU807HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU807HD2G

частка акцыі: 161

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
TS20P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P06GHD2G

частка акцыі: 184

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
TS10P01G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P01G C2G

частка акцыі: 211

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
TS15P02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P02G D2G

частка акцыі: 242

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні
TS15P01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P01G D2G

частка акцыі: 196

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
VS-KBPC604
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC604

частка акцыі: 24294

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
VS-53MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-53MT120KPBF

частка акцыі: 835

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 55A,

Пажаданні
G5SBA20-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G5SBA20-M3/51

частка акцыі: 99051

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
GBU8J-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8J-M3/51

частка акцыі: 87534

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
VS-70MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70MT160KPBF

частка акцыі: 1164

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A,

Пажаданні
VS-36MT20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-36MT20

частка акцыі: 5028

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
VS-36MB20A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-36MB20A

частка акцыі: 11609

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
DFL1508S-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division

DFL1508S-E3/77

частка акцыі: 135976

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
DFL1506S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

DFL1506S-E3/45

частка акцыі: 157158

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
VS-100MT160PAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100MT160PAPBF

частка акцыі: 1996

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.51V @ 100A,

Пажаданні
SC3BA4F
Semtech Corporation

SC3BA4F

частка акцыі: 312

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 400V,

Пажаданні
S3BR4
Semtech Corporation

S3BR4

частка акцыі: 858

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 400V,

Пажаданні
SBMC1F
Semtech Corporation

SBMC1F

частка акцыі: 1328

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 100V,

Пажаданні
SCBA05
Semtech Corporation

SCBA05

частка акцыі: 984

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 50V,

Пажаданні
GBPC2501W
ON Semiconductor

GBPC2501W

частка акцыі: 1044

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
DDB6U104N16RRPB37BPSA1
Infineon Technologies

DDB6U104N16RRPB37BPSA1

частка акцыі: 341

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.15V @ 35A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5mA @ 1600V,

Пажаданні