Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

APTGT150H170G
Microsemi Corporation

APTGT150H170G

частка акцыі: 495

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 250A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGT400A120G
Microsemi Corporation

APTGT400A120G

частка акцыі: 537

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 560A, Магутнасць - Макс: 1785W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Пажаданні
APTCV40H60CT1G
Microsemi Corporation

APTCV40H60CT1G

частка акцыі: 1640

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTCV60HM45RT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM45RT3G

частка акцыі: 1446

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT300DA170G
Microsemi Corporation

APTGT300DA170G

частка акцыі: 722

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 1660W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Пажаданні
APTGT75TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TDU60PG

частка акцыі: 925

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Triple, Dual - Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT200H120G
Microsemi Corporation

APTGT200H120G

частка акцыі: 464

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 280A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Пажаданні
APTGLQ100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGLQ100A120T3AG

частка акцыі: 797

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 185A, Магутнасць - Макс: 650W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT50DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DDA120T3G

частка акцыі: 1762

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 270W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGT100A120T3AG

частка акцыі: 1206

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 595W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APT75GT120JU3
Microsemi Corporation

APT75GT120JU3

частка акцыі: 2982

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGL180A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGL180A120T3AG

частка акцыі: 1144

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 230A, Магутнасць - Макс: 940W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGL40H120T1G
Microsemi Corporation

APTGL40H120T1G

частка акцыі: 1697

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 220W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

Пажаданні
APTCV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTCV50H60T3G

частка акцыі: 1553

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT300A60D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A60D3G

частка акцыі: 831

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 940W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Пажаданні
APTGLQ100A120TG
Microsemi Corporation

APTGLQ100A120TG

частка акцыі: 251

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Магутнасць - Макс: 520W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT300TL60G
Microsemi Corporation

APTGT300TL60G

частка акцыі: 570

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 935W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Пажаданні
APTGL325A120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325A120D3G

частка акцыі: 634

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 420A, Магутнасць - Макс: 1500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

Пажаданні
APTGLQ50VDA65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50VDA65T3G

частка акцыі: 314

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 175W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGLQ50DDA65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50DDA65T3G

частка акцыі: 232

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 175W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT600A60G
Microsemi Corporation

APTGT600A60G

частка акцыі: 452

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 700A, Магутнасць - Макс: 2300W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Пажаданні
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation

APTGT20TL601G

частка акцыі: 2340

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Магутнасць - Макс: 62W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Пажаданні
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT150TA60PG

частка акцыі: 689

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120T1G

частка акцыі: 2393

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Магутнасць - Макс: 208W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Пажаданні
APTGT450SK60G
Microsemi Corporation

APTGT450SK60G

частка акцыі: 807

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 550A, Магутнасць - Макс: 1750W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

Пажаданні
APTGT150TL60G
Microsemi Corporation

APTGT150TL60G

частка акцыі: 901

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGT400SK120G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120G

частка акцыі: 766

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 560A, Магутнасць - Макс: 1785W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Пажаданні
APTGL40X120T3G
Microsemi Corporation

APTGL40X120T3G

частка акцыі: 1371

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 220W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

Пажаданні
APT40GL120JU2
Microsemi Corporation

APT40GL120JU2

частка акцыі: 3667

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 220W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

Пажаданні
APTGT150DH170G
Microsemi Corporation

APTGT150DH170G

частка акцыі: 707

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 250A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGT150DH120G
Microsemi Corporation

APTGT150DH120G

частка акцыі: 790

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 690W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGT50TDU170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TDU170PG

частка акцыі: 697

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Triple, Dual - Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 310W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APT35GT120JU2
Microsemi Corporation

APT35GT120JU2

частка акцыі: 3790

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Магутнасць - Макс: 260W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Пажаданні
APTGT50A170TG
Microsemi Corporation

APTGT50A170TG

частка акцыі: 1356

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT100BB60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100BB60T3G

частка акцыі: 1239

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT300A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A120D3G

частка акцыі: 570

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 440A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Пажаданні