Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

APTGV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

частка акцыі: 530

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGV75H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

частка акцыі: 491

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGV50H60BG
Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

частка акцыі: 539

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGV50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

частка акцыі: 546

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 270W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGV30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

частка акцыі: 476

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 90W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Пажаданні
APTGV50H120BTPG
Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

частка акцыі: 466

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 270W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

частка акцыі: 528

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 156W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Пажаданні
APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

частка акцыі: 540

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 156W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Пажаданні
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

частка акцыі: 546

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

частка акцыі: 487

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 115W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

Пажаданні
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

частка акцыі: 546

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

частка акцыі: 5307

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

частка акцыі: 531

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 357W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

частка акцыі: 541

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 357W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

частка акцыі: 521

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

частка акцыі: 490

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

частка акцыі: 478

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 357W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

частка акцыі: 540

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Магутнасць - Макс: 465W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

частка акцыі: 464

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Магутнасць - Макс: 520W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

частка акцыі: 555

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 357W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

частка акцыі: 545

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Магутнасць - Макс: 520W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

частка акцыі: 548

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 357W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

частка акцыі: 526

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 357W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

частка акцыі: 526

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 760A, Магутнасць - Макс: 1600W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

Пажаданні
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

частка акцыі: 482

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 310W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

частка акцыі: 514

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 310W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

частка акцыі: 476

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

частка акцыі: 541

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

частка акцыі: 552

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 270W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

частка акцыі: 528

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

частка акцыі: 3071

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

частка акцыі: 518

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 310W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

частка акцыі: 496

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 270W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

частка акцыі: 535

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 310W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

частка акцыі: 520

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

частка акцыі: 494

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 270W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Пажаданні