Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

APTGLQ100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ100DA120T1G

частка акцыі: 324

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Магутнасць - Макс: 520W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGLQ200A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGLQ200A120T3AG

частка акцыі: 317

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: 2 Independent, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

Пажаданні
APTGL90DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DSK120T3G

частка акцыі: 1591

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 385W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGL90A120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90A120T1G

частка акцыі: 1766

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 385W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGLQ300H65G
Microsemi Corporation

APTGLQ300H65G

частка акцыі: 510

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600A, Магутнасць - Макс: 1000W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

Пажаданні
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation

APTGTQ100A65T1G

частка акцыі: 268

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT75A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75A60T1G

частка акцыі: 2517

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30X60T3G

частка акцыі: 1938

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 90W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Пажаданні
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200DA65T3G

частка акцыі: 297

Канфігурацыя: Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 483W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Пажаданні
APTGT100H60TG
Microsemi Corporation

APTGT100H60TG

частка акцыі: 1208

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGLQ200H120G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H120G

частка акцыі: 505

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 350A, Магутнасць - Макс: 1000W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Пажаданні
APTGT600DA60G
Microsemi Corporation

APTGT600DA60G

частка акцыі: 718

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 700A, Магутнасць - Макс: 2300W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Пажаданні
APTGT75DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA60T1G

частка акцыі: 2807

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGL475U120D4G
Microsemi Corporation

APTGL475U120D4G

частка акцыі: 692

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 610A, Магутнасць - Макс: 2082W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Пажаданні
APTGLQ75H65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ75H65T1G

частка акцыі: 1579

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU120TG

частка акцыі: 1313

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU120TG

частка акцыі: 1568

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A170D3G

частка акцыі: 469

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 530A, Магутнасць - Макс: 1470W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Пажаданні
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170G

частка акцыі: 920

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 250A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170G

частка акцыі: 631

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 1660W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Пажаданні
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400A120D3G

частка акцыі: 443

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 580A, Магутнасць - Макс: 2100W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Пажаданні
APTGL60DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DDA120T3G

частка акцыі: 1919

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 280W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT100TL170G
Microsemi Corporation

APTGT100TL170G

частка акцыі: 530

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 560W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200A65T3G

частка акцыі: 255

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 483W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Пажаданні
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100H65T3G

частка акцыі: 237

Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75X60T3G

частка акцыі: 1419

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT150A120G
Microsemi Corporation

APTGT150A120G

частка акцыі: 851

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 690W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGT50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T1G

частка акцыі: 2031

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation

APTGT225DA170G

частка акцыі: 770

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 340A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Пажаданні
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100A60T1G

частка акцыі: 2167

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation

APTGT225DU170G

частка акцыі: 515

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 340A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Пажаданні
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60T3AG

частка акцыі: 1579

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 290A, Магутнасць - Макс: 750W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Пажаданні
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation

APTGT200DH120G

частка акцыі: 709

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 280A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Пажаданні
APTGL90DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DDA120T3G

частка акцыі: 1593

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 385W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ50TA65T3G

частка акцыі: 244

Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 125W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200SK65T3G

частка акцыі: 292

Канфігурацыя: Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 483W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Пажаданні