Транзістары - IGBT - модулі | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 65

APTGT50TL601G

частка акцыі: 1364

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT100DU170TG

частка акцыі: 857

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 560W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT100GT120JU3

частка акцыі: 2103

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGL180A1202G

частка акцыі: 876

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 750W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT200TL60G

частка акцыі: 424

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300A, Магутнасць - Макс: 652W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF150DU120TG

частка акцыі: 79

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 961W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT300SK60D3G

частка акцыі: 713

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 940W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT400A60D3G

частка акцыі: 530

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT300A60TG

частка акцыі: 697

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 430A, Магутнасць - Макс: 935W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT300A170G

частка акцыі: 353

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 1660W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT50X60T3G

частка акцыі: 1363

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT75GT120JRDQ3

частка акцыі: 1870

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 97A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT50GF60JU2

частка акцыі: 3168

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT150GT120JR

частка акцыі: 1450

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Магутнасць - Макс: 830W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT75GT120JU2

частка акцыі: 2315

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT65GP60J

частка акцыі: 2051

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Магутнасць - Макс: 431W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT35GP120J

частка акцыі: 1978

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Магутнасць - Макс: 284W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT75TL60T3G

частка акцыі: 1060

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT600U120D4G

частка акцыі: 398

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 900A, Магутнасць - Макс: 2500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT70GR120JD60

частка акцыі: 1895

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 112A, Магутнасць - Макс: 543W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT100H60T3G

частка акцыі: 1009

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT50H60T3G

частка акцыі: 1227

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT50SK170T1G

частка акцыі: 1368

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT45GP120J

частка акцыі: 2085

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 329W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT46GA90JD40

частка акцыі: 2422

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 87A, Магутнасць - Макс: 284W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT80GP60J

частка акцыі: 1872

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 151A, Магутнасць - Макс: 462W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGT600U170D4G

частка акцыі: 424

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1100A, Магутнасць - Макс: 2900W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT150GN120J

частка акцыі: 1837

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 215A, Магутнасць - Макс: 625W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Пажаданні

STMicroelectronics

A1P35S12M3

частка акцыі: 99

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

Пажаданні

STMicroelectronics

A2C35S12M3

частка акцыі: 105

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

Пажаданні

STMicroelectronics

A2C25S12M3

частка акцыі: 36

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 197W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

Пажаданні

STMicroelectronics

A1P25S12M3

частка акцыі: 116

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 197W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

Пажаданні

STMicroelectronics

A1C15S12M3-F

частка акцыі: 143

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Магутнасць - Макс: 142.8W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A,

Пажаданні

STMicroelectronics

A2C25S12M3-F

частка акцыі: 92

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 197W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

Пажаданні

STMicroelectronics

A2C35S12M3-F

частка акцыі: 132

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

Пажаданні

STMicroelectronics

A1P25S12M3-F

частка акцыі: 182

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 197W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

Пажаданні