Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

частка акцыі: 1378

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Пажаданні
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

частка акцыі: 1989

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Пажаданні
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

частка акцыі: 2465

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Магутнасць - Макс: 170W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

Пажаданні
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

частка акцыі: 620

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 690W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

частка акцыі: 595

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

частка акцыі: 549

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

частка акцыі: 602

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 385W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

частка акцыі: 625

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

частка акцыі: 542

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 280W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

частка акцыі: 1816

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 128A, Магутнасць - Макс: 543W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGL90DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DH120T3G

частка акцыі: 541

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 385W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGF50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

частка акцыі: 556

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGL60DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

частка акцыі: 534

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 280W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGF50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

частка акцыі: 607

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGF25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

частка акцыі: 579

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 208W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Пажаданні
APTGF100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

частка акцыі: 542

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Магутнасць - Макс: 780W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGF150A60T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

частка акцыі: 560

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 230A, Магутнасць - Макс: 833W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Пажаданні
APTCV60HM70BT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

частка акцыі: 5334

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTCV60HM70RT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

частка акцыі: 574

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APT70GR120J
Microsemi Corporation

APT70GR120J

частка акцыі: 2416

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 112A, Магутнасць - Макс: 543W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

Пажаданні
APT50GR120JD30
Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

частка акцыі: 2286

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 84A, Магутнасць - Макс: 417W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APT200GN60J
Microsemi Corporation

APT200GN60J

частка акцыі: 2197

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 283A, Магутнасць - Макс: 682W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Пажаданні
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

частка акцыі: 578

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

частка акцыі: 3071

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGF50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

частка акцыі: 594

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGF150A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

частка акцыі: 580

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 210A, Магутнасць - Макс: 1041W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGF100A1202G
Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

частка акцыі: 540

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 135A, Магутнасць - Макс: 568W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

частка акцыі: 546

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 312W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

частка акцыі: 581

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGF150A120T3WG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

частка акцыі: 600

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 210A, Магутнасць - Макс: 961W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

частка акцыі: 546

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

частка акцыі: 585

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

частка акцыі: 3077

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Магутнасць - Макс: 140W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Пажаданні
APTCV60TLM99T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

частка акцыі: 609

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter - IGBT, FET, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 90W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Пажаданні
APTCV90TL12T3G
Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

частка акцыі: 524

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter - IGBT, FET, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 280W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APT150GN120JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

частка акцыі: 1322

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 215A, Магутнасць - Макс: 625W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Пажаданні