Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

APTGLQ50TL65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50TL65T3G

частка акцыі: 238

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 175W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGL700DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL700DA120D3G

частка акцыі: 596

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 840A, Магутнасць - Макс: 3000W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Пажаданні
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation

APTGT150H60TG

частка акцыі: 1078

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGT100DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DH60TG

частка акцыі: 1515

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT50TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA60PG

частка акцыі: 1144

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100DDA65T3G

частка акцыі: 320

Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT50DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH120TG

частка акцыі: 1402

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT300A120G
Microsemi Corporation

APTGT300A120G

частка акцыі: 588

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 420A, Магутнасць - Макс: 1380W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Пажаданні
APTGT150DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DH60TG

частка акцыі: 1369

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGT400DA120G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120G

частка акцыі: 762

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 560A, Магутнасць - Макс: 1785W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Пажаданні
APTGT100A170TG
Microsemi Corporation

APTGT100A170TG

частка акцыі: 1066

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 560W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT300SK120G
Microsemi Corporation

APTGT300SK120G

частка акцыі: 816

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 420A, Магутнасць - Макс: 1380W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Пажаданні
APTGLQ80HR120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ80HR120CT3G

частка акцыі: 1034

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A,

Пажаданні
APTGL475DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL475DA120D3G

частка акцыі: 763

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 610A, Магутнасць - Макс: 2080W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Пажаданні
APTGT100SK170TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK170TG

частка акцыі: 1414

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 560W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT100TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100TL60T3G

частка акцыі: 1115

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 340W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APT35GT120JU3
Microsemi Corporation

APT35GT120JU3

частка акцыі: 3761

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Магутнасць - Макс: 260W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Пажаданні
APTGLQ600A65T6G
Microsemi Corporation

APTGLQ600A65T6G

частка акцыі: 512

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1200A, Магутнасць - Макс: 2000W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

Пажаданні
APTGT225SK170G
Microsemi Corporation

APTGT225SK170G

частка акцыі: 816

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 340A, Магутнасць - Макс: 1250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Пажаданні
APTGT200A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT200A120D3G

частка акцыі: 726

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300A, Магутнасць - Макс: 1040W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Пажаданні
APTGT150DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA60T1G

частка акцыі: 2480

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGLQ300SK120G
Microsemi Corporation

APTGLQ300SK120G

частка акцыі: 249

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Buck Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500A, Магутнасць - Макс: 1500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 300A,

Пажаданні
APTGT100H120G
Microsemi Corporation

APTGT100H120G

частка акцыі: 718

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 480W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT300DA170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA170D3G

частка акцыі: 767

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 530A, Магутнасць - Макс: 1470W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Пажаданні
APTGL90DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90DA120T1G

частка акцыі: 2308

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 385W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGLQ400A120T6G
Microsemi Corporation

APTGLQ400A120T6G

частка акцыі: 452

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 700A, Магутнасць - Макс: 1900W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A,

Пажаданні
APTGLQ50H65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T1G

частка акцыі: 261

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Магутнасць - Макс: 175W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGT50H60RT3G
Microsemi Corporation

APTGT50H60RT3G

частка акцыі: 1712

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 176W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Пажаданні
APTGL90H120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90H120T3G

частка акцыі: 1107

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 385W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGT400DU120G
Microsemi Corporation

APTGT400DU120G

частка акцыі: 445

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 560A, Магутнасць - Макс: 1785W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Пажаданні
APTGT75DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DU120TG

частка акцыі: 1368

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 350W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Пажаданні
APTGL120TA120TPG
Microsemi Corporation

APTGL120TA120TPG

частка акцыі: 398

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 517W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation

APTGT200SK120G

частка акцыі: 970

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 280A, Магутнасць - Макс: 890W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Пажаданні
APTGL120TDU120TPG
Microsemi Corporation

APTGL120TDU120TPG

частка акцыі: 524

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Triple, Dual - Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Магутнасць - Макс: 517W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

Пажаданні
APTGT150A60T3AG
Microsemi Corporation

APTGT150A60T3AG

частка акцыі: 1382

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Магутнасць - Макс: 600W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Пажаданні
APTGL60TL120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60TL120T3G

частка акцыі: 1437

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Магутнасць - Макс: 280W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Пажаданні