Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад | Ізалятары | 58

SL55043SD

частка акцыі: 5947

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 25% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 50µs, 150µs (Max),

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

CNW83SD

частка акцыі: 5792

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5900Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 0.4% @ 10mA,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

HMA2701AR1V

частка акцыі: 5810

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

HMA121CR3V

частка акцыі: 5838

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

MCT5210S

частка акцыі: 5721

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 70% @ 3mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 400ns,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

HCPL0500V

частка акцыі: 80060

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 500ns,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

MCT2ETM

частка акцыі: 5759

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 1.5µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

CNY172FVM

частка акцыі: 5842

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

HMA2701R4

частка акцыі: 5905

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

CNW136S

частка акцыі: 5888

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

CNY173SD

частка акцыі: 2654

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

FOD2711V

частка акцыі: 5929

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

CNY172FR2M

частка акцыі: 5772

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

MOC81043S

частка акцыі: 5709

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 160% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 256% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

MCT2300

частка акцыі: 5745

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1.1µs, 50µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

MOC8102W

частка акцыі: 2622

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 73% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 117% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

CNY171FM

частка акцыі: 5967

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

FOD2742CR1

частка акцыі: 2652

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

FOD2711

частка акцыі: 5830

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

MCT2ES

частка акцыі: 5942

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1.1µs, 50µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

HMA2701AR3

частка акцыі: 5796

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

MOC8021300W

частка акцыі: 5876

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

MCT52103SD

частка акцыі: 5811

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 70% @ 3mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 400ns,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

HMHA2801C

частка акцыі: 5757

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

MOC8050SD

частка акцыі: 5815

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

HMA121AR4

частка акцыі: 5826

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

CNY17F43SD

частка акцыі: 2626

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 160% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 320% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

FODM2701BR1

частка акцыі: 5904

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

FOD817W

частка акцыі: 5997

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

H11A817B3S

частка акцыі: 5845

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

CNX82AW

частка акцыі: 5956

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 250% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

HCPL2530SDV

частка акцыі: 5860

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 500ns,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

HCPL0700R1V

частка акцыі: 2603

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 2600% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 7µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

FOD2711SV

частка акцыі: 5826

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

H11A13SD

частка акцыі: 5907

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў

ON Semiconductor

FODM8801BV

частка акцыі: 166873

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 6µs, 6µs, Час нарастання / падзення (тып): 5µs, 5.5µs,

Ліст з жаданняў