Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
6N138SM
ON Semiconductor

6N138SM

частка акцыі: 137836

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 7.3µs,

Ліст з жаданняў
6N139WV
ON Semiconductor

6N139WV

частка акцыі: 5511

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1.5µs, 7µs,

Ліст з жаданняў
6N135SVM
ON Semiconductor

6N135SVM

частка акцыі: 86875

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 230ns, 450ns,

Ліст з жаданняў
6N139SDV
ON Semiconductor

6N139SDV

частка акцыі: 2602

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1.5µs, 7µs,

Ліст з жаданняў
6N135SM
ON Semiconductor

6N135SM

частка акцыі: 114865

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 230ns, 450ns,

Ліст з жаданняў
6N136SDV
ON Semiconductor

6N136SDV

частка акцыі: 5182

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 500ns,

Ліст з жаданняў
6N138SDV
ON Semiconductor

6N138SDV

частка акцыі: 2523

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1.5µs, 7µs,

Ліст з жаданняў
6N135SDVM
ON Semiconductor

6N135SDVM

частка акцыі: 69

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 230ns, 450ns,

Ліст з жаданняў
6N136TVM
ON Semiconductor

6N136TVM

частка акцыі: 90864

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 250ns, 260ns,

Ліст з жаданняў
6N136SM
ON Semiconductor

6N136SM

частка акцыі: 40316

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 250ns, 260ns,

Ліст з жаданняў
6N136TSR2VM
ON Semiconductor

6N136TSR2VM

частка акцыі: 83510

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 250ns, 260ns,

Ліст з жаданняў
6N138M
ON Semiconductor

6N138M

частка акцыі: 172102

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 7.3µs,

Ліст з жаданняў
6N138SDM
ON Semiconductor

6N138SDM

частка акцыі: 133475

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 7.3µs,

Ліст з жаданняў
6N136SDVM
ON Semiconductor

6N136SDVM

частка акцыі: 137829

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 250ns, 260ns,

Ліст з жаданняў
6N139TVM
ON Semiconductor

6N139TVM

частка акцыі: 146741

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 240ns, 1.3µs,

Ліст з жаданняў
6N136VM
ON Semiconductor

6N136VM

частка акцыі: 96122

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 250ns, 260ns,

Ліст з жаданняў
6N136SVM
ON Semiconductor

6N136SVM

частка акцыі: 95567

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 250ns, 260ns,

Ліст з жаданняў
6N135VM
ON Semiconductor

6N135VM

частка акцыі: 87392

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 230ns, 450ns,

Ліст з жаданняў
6N135SDM
ON Semiconductor

6N135SDM

частка акцыі: 135028

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 230ns, 450ns,

Ліст з жаданняў
6N136TSVM
ON Semiconductor

6N136TSVM

частка акцыі: 114923

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 250ns, 260ns,

Ліст з жаданняў
6N139SVM
ON Semiconductor

6N139SVM

частка акцыі: 146772

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 240ns, 1.3µs,

Ліст з жаданняў
6N139SDVM
ON Semiconductor

6N139SDVM

частка акцыі: 137847

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 240ns, 1.3µs,

Ліст з жаданняў
6N139VM
ON Semiconductor

6N139VM

частка акцыі: 137873

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 240ns, 1.3µs,

Ліст з жаданняў
6N135M
ON Semiconductor

6N135M

частка акцыі: 167115

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 230ns, 450ns,

Ліст з жаданняў
6N136SDM
ON Semiconductor

6N136SDM

частка акцыі: 135050

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 250ns, 260ns,

Ліст з жаданняў
6N139SM
ON Semiconductor

6N139SM

частка акцыі: 48236

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 240ns, 1.3µs,

Ліст з жаданняў
6N136M
ON Semiconductor

6N136M

частка акцыі: 154598

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 250ns, 260ns,

Ліст з жаданняў
6N139SDM
ON Semiconductor

6N139SDM

частка акцыі: 133441

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 240ns, 1.3µs,

Ліст з жаданняў
MCT2ESD
ON Semiconductor

MCT2ESD

частка акцыі: 6007

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1.1µs, 50µs,

Ліст з жаданняў
H11A817DW
ON Semiconductor

H11A817DW

частка акцыі: 5925

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
CNY17F3SVM
ON Semiconductor

CNY17F3SVM

частка акцыі: 5957

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
SL5504
ON Semiconductor

SL5504

частка акцыі: 6013

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 25% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 50µs, 150µs (Max),

Ліст з жаданняў
H11D1300
ON Semiconductor

H11D1300

частка акцыі: 5936

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
H11G1SD
ON Semiconductor

H11G1SD

частка акцыі: 5982

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў
H11A617B
ON Semiconductor

H11A617B

частка акцыі: 5974

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
H11AA3300
ON Semiconductor

H11AA3300

частка акцыі: 6003

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA,

Ліст з жаданняў