Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
H11AA1SD
ON Semiconductor

H11AA1SD

частка акцыі: 2620

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MOC8107300
ON Semiconductor

MOC8107300

частка акцыі: 5854

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
CNY172SVM
ON Semiconductor

CNY172SVM

частка акцыі: 117451

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
CNY17F2S
ON Semiconductor

CNY17F2S

частка акцыі: 5816

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
TIL111SR2VM
ON Semiconductor

TIL111SR2VM

частка акцыі: 5852

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Час нарастання / падзення (тып): 10µs, 10µs (Max),

Ліст з жаданняў
H11A817B300
ON Semiconductor

H11A817B300

частка акцыі: 5768

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
CNW138
ON Semiconductor

CNW138

частка акцыі: 5808

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 1000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA,

Ліст з жаданняў
H11AA4S
ON Semiconductor

H11AA4S

частка акцыі: 5842

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FOD250LT
ON Semiconductor

FOD250LT

частка акцыі: 2602

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 15% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 1µs (Max),

Ліст з жаданняў
SL5504W
ON Semiconductor

SL5504W

частка акцыі: 5885

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 25% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 50µs, 150µs (Max),

Ліст з жаданняў
MOC8113SD
ON Semiconductor

MOC8113SD

частка акцыі: 5912

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 4.2µs, 23µs, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 14µs,

Ліст з жаданняў
MOC8112W
ON Semiconductor

MOC8112W

частка акцыі: 5718

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 4.2µs, 23µs, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 14µs,

Ліст з жаданняў
HMA2701BR2
ON Semiconductor

HMA2701BR2

частка акцыі: 5894

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
CNY173TM
ON Semiconductor

CNY173TM

частка акцыі: 5854

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
HMA121AR3V
ON Semiconductor

HMA121AR3V

частка акцыі: 5885

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT2200300W
ON Semiconductor

MCT2200300W

частка акцыі: 5907

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MCT210300
ON Semiconductor

MCT210300

частка акцыі: 5700

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 50µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 11µs,

Ліст з жаданняў
MCT5211W
ON Semiconductor

MCT5211W

частка акцыі: 5876

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 14µs, 2.5µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2530W
ON Semiconductor

HCPL2530W

частка акцыі: 5873

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 500ns,

Ліст з жаданняў
HMHA2801BR4V
ON Semiconductor

HMHA2801BR4V

частка акцыі: 5910

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOC81053SD
ON Semiconductor

MOC81053SD

частка акцыі: 2622

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 65% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 133% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MOC8106300W
ON Semiconductor

MOC8106300W

частка акцыі: 5855

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
CNY17F4SR2VM_F132
ON Semiconductor

CNY17F4SR2VM_F132

частка акцыі: 5788

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 160% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 320% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
FOD2742BR1
ON Semiconductor

FOD2742BR1

частка акцыі: 5728

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
H11AV1SVM
ON Semiconductor

H11AV1SVM

частка акцыі: 5854

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 15µs, 15µs (Max),

Ліст з жаданняў
MOC256R1M
ON Semiconductor

MOC256R1M

частка акцыі: 5908

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MCT2300W
ON Semiconductor

MCT2300W

частка акцыі: 5729

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1.1µs, 50µs,

Ліст з жаданняў
MOC8108
ON Semiconductor

MOC8108

частка акцыі: 5881

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 250% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HMHA281R4V
ON Semiconductor

HMHA281R4V

частка акцыі: 2601

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HMHA281R2_F132
ON Semiconductor

HMHA281R2_F132

частка акцыі: 5912

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11D2300W
ON Semiconductor

H11D2300W

частка акцыі: 5776

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
MCT26
ON Semiconductor

MCT26

частка акцыі: 2661

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 6% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
HMHA2801AR3V
ON Semiconductor

HMHA2801AR3V

частка акцыі: 5963

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD2741AV
ON Semiconductor

FOD2741AV

частка акцыі: 121932

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
H11A1SVM
ON Semiconductor

H11A1SVM

частка акцыі: 5749

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HCPL4502WV
ON Semiconductor

HCPL4502WV

частка акцыі: 5811

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў