Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
FODM121DR1
ON Semiconductor

FODM121DR1

частка акцыі: 5974

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FODM1007
ON Semiconductor

FODM1007

частка акцыі: 156854

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 5.7µs, 8.5µs,

Ліст з жаданняў
MCT5211
ON Semiconductor

MCT5211

частка акцыі: 5880

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 14µs, 2.5µs,

Ліст з жаданняў
FOD815SD
ON Semiconductor

FOD815SD

частка акцыі: 5860

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 600% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 7500% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 60µs, 53µs,

Ліст з жаданняў
FOD2743CSDV
ON Semiconductor

FOD2743CSDV

частка акцыі: 5897

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 1mA,

Ліст з жаданняў
TIL117TM
ON Semiconductor

TIL117TM

частка акцыі: 5921

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 10µs (Max), Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FOD2711SDV
ON Semiconductor

FOD2711SDV

частка акцыі: 5818

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
TIL117VM
ON Semiconductor

TIL117VM

частка акцыі: 122986

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 10µs (Max), Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HMA121R4V
ON Semiconductor

HMA121R4V

частка акцыі: 5799

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HMA121D
ON Semiconductor

HMA121D

частка акцыі: 5935

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2531SV
ON Semiconductor

HCPL2531SV

частка акцыі: 5952

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
MOC8113S
ON Semiconductor

MOC8113S

частка акцыі: 5807

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 4.2µs, 23µs, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 14µs,

Ліст з жаданняў
MCT271SD
ON Semiconductor

MCT271SD

частка акцыі: 5977

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 45% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 90% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 48µs,

Ліст з жаданняў
HMA2701R2V
ON Semiconductor

HMA2701R2V

частка акцыі: 5867

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
SL5500300W
ON Semiconductor

SL5500300W

частка акцыі: 5838

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 50µs (Max),

Ліст з жаданняў
FODM2701AR1
ON Semiconductor

FODM2701AR1

частка акцыі: 5903

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HMA121FR2
ON Semiconductor

HMA121FR2

частка акцыі: 5793

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HMHA2801BV
ON Semiconductor

HMHA2801BV

частка акцыі: 5781

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TIL111FVM
ON Semiconductor

TIL111FVM

частка акцыі: 5945

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Час нарастання / падзення (тып): 10µs, 10µs (Max),

Ліст з жаданняў
MOC217R2M_F132
ON Semiconductor

MOC217R2M_F132

частка акцыі: 5788

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
H11B13SD
ON Semiconductor

H11B13SD

частка акцыі: 5940

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 18µs,

Ліст з жаданняў
CNW11AV1300
ON Semiconductor

CNW11AV1300

частка акцыі: 5797

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
H11B2553S
ON Semiconductor

H11B2553S

частка акцыі: 5919

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 18µs,

Ліст з жаданняў
CNY172FR2VM
ON Semiconductor

CNY172FR2VM

частка акцыі: 5849

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FODM121F
ON Semiconductor

FODM121F

частка акцыі: 5719

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOC119300
ON Semiconductor

MOC119300

частка акцыі: 5918

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
HCPL0530
ON Semiconductor

HCPL0530

частка акцыі: 5927

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 500ns,

Ліст з жаданняў
H11A817300W
ON Semiconductor

H11A817300W

частка акцыі: 5956

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
HMAA2705R3
ON Semiconductor

HMAA2705R3

частка акцыі: 5837

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
CNY17F1300W
ON Semiconductor

CNY17F1300W

частка акцыі: 5766

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FODM121DR2V
ON Semiconductor

FODM121DR2V

частка акцыі: 5793

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HMA121DV
ON Semiconductor

HMA121DV

частка акцыі: 2643

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11A23SD
ON Semiconductor

H11A23SD

частка акцыі: 5914

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11A1W
ON Semiconductor

H11A1W

частка акцыі: 5941

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FOD270LT
ON Semiconductor

FOD270LT

частка акцыі: 5731

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 400% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 7000% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 50µs,

Ліст з жаданняў
CNW83S
ON Semiconductor

CNW83S

частка акцыі: 5777

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5900Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 0.4% @ 10mA,

Ліст з жаданняў