Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - JFET

  • Дом
  •  
  • Транзістары - JFET
MMBF4393LT1
ON Semiconductor

MMBF4393LT1

частка акцыі: 3356

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
NSVJ3557SA3T1G
ON Semiconductor

NSVJ3557SA3T1G

частка акцыі: 121574

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 15V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 15V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 100µA,

Ліст з жаданняў
TF256TH-5-TL-H
ON Semiconductor

TF256TH-5-TL-H

частка акцыі: 3408

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 240µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J201
ON Semiconductor

J201

частка акцыі: 3365

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J271
ON Semiconductor

J271

частка акцыі: 3411

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.5V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
P1086_D74Z
ON Semiconductor

P1086_D74Z

частка акцыі: 3350

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
PN5432_D27Z
ON Semiconductor

PN5432_D27Z

частка акцыі: 3415

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 3nA,

Ліст з жаданняў
J175_D74Z
ON Semiconductor

J175_D74Z

частка акцыі: 3350

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J270
ON Semiconductor

J270

частка акцыі: 3388

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1nA,

Ліст з жаданняў
PN4117A_D26Z
ON Semiconductor

PN4117A_D26Z

частка акцыі: 3388

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1nA,

Ліст з жаданняў
J111-D74Z
ON Semiconductor

J111-D74Z

частка акцыі: 313

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
NSVJ2394SA3T1G
ON Semiconductor

NSVJ2394SA3T1G

частка акцыі: 148349

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 15V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 15V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 32mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 700mV @ 100µA,

Ліст з жаданняў
MPF4392G
ON Semiconductor

MPF4392G

частка акцыі: 3440

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J112-D74Z
ON Semiconductor

J112-D74Z

частка акцыі: 308

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MMBF4391
ON Semiconductor

MMBF4391

частка акцыі: 133772

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
TF412ST5G
ON Semiconductor

TF412ST5G

частка акцыі: 184962

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Сцёк току (Id) - макс: 10mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 180mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J202_D27Z
ON Semiconductor

J202_D27Z

частка акцыі: 3368

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
JFTJ105
ON Semiconductor

JFTJ105

частка акцыі: 3431

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4.5V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
TF252TH-4-TL-H
ON Semiconductor

TF252TH-4-TL-H

частка акцыі: 3451

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
FJX597JBTF
ON Semiconductor

FJX597JBTF

частка акцыі: 3389

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J112RLRA
ON Semiconductor

J112RLRA

частка акцыі: 3445

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J202_D74Z
ON Semiconductor

J202_D74Z

частка акцыі: 3477

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
TF252-4-TL-H
ON Semiconductor

TF252-4-TL-H

частка акцыі: 3458

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MPF4393
ON Semiconductor

MPF4393

частка акцыі: 3385

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J111_D75Z
ON Semiconductor

J111_D75Z

частка акцыі: 3434

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J112G
ON Semiconductor

J112G

частка акцыі: 3431

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J201_D27Z
ON Semiconductor

J201_D27Z

частка акцыі: 3432

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J110G
ON Semiconductor

J110G

частка акцыі: 3521

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MPF4393RLRPG
ON Semiconductor

MPF4393RLRPG

частка акцыі: 3449

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
PN4391
ON Semiconductor

PN4391

частка акцыі: 3393

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
P1086_D75Z
ON Semiconductor

P1086_D75Z

частка акцыі: 3402

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J109
ON Semiconductor

J109

частка акцыі: 155883

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J110_D26Z
ON Semiconductor

J110_D26Z

частка акцыі: 3458

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J111_D27Z
ON Semiconductor

J111_D27Z

частка акцыі: 3418

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
TF202THC-4-TL-H
ON Semiconductor

TF202THC-4-TL-H

частка акцыі: 3377

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 200mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
SMMBF4393LT1G
ON Semiconductor

SMMBF4393LT1G

частка акцыі: 107687

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

Ліст з жаданняў