Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - JFET

  • Дом
  •  
  • Транзістары - JFET
J176-D74Z
ON Semiconductor

J176-D74Z

частка акцыі: 13203

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J176_D27Z
ON Semiconductor

J176_D27Z

частка акцыі: 3352

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
TF256TH-4-TL-H
ON Semiconductor

TF256TH-4-TL-H

частка акцыі: 3468

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J111RL1G
ON Semiconductor

J111RL1G

частка акцыі: 3416

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
P1087_J18Z
ON Semiconductor

P1087_J18Z

частка акцыі: 3448

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
FJN598JATA
ON Semiconductor

FJN598JATA

частка акцыі: 3490

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J202
ON Semiconductor

J202

частка акцыі: 3418

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J201_D74Z
ON Semiconductor

J201_D74Z

частка акцыі: 3407

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor

MMBFJ175LT1G

частка акцыі: 135212

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
MMBFJ175LT1
ON Semiconductor

MMBFJ175LT1

частка акцыі: 3381

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
MMBF4117
ON Semiconductor

MMBF4117

частка акцыі: 122052

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1nA,

Ліст з жаданняў
SMMBF4391LT1G
ON Semiconductor

SMMBF4391LT1G

частка акцыі: 3375

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
TF252TH-5-TL-H
ON Semiconductor

TF252TH-5-TL-H

частка акцыі: 3414

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MMBF5484LT1
ON Semiconductor

MMBF5484LT1

частка акцыі: 3379

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
FJZ594JCTF
ON Semiconductor

FJZ594JCTF

частка акцыі: 3391

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
PN4303_D26Z
ON Semiconductor

PN4303_D26Z

частка акцыі: 3418

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
MMBFJ270
ON Semiconductor

MMBFJ270

частка акцыі: 114705

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1nA,

Ліст з жаданняў
KSK30RBU
ON Semiconductor

KSK30RBU

частка акцыі: 3409

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 50V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
MMBF4091
ON Semiconductor

MMBF4091

частка акцыі: 111162

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
MPF4392
ON Semiconductor

MPF4392

частка акцыі: 3400

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J113_D27Z
ON Semiconductor

J113_D27Z

частка акцыі: 3355

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
TF262TH-5-TL-H
ON Semiconductor

TF262TH-5-TL-H

частка акцыі: 3528

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 200mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J202_D26Z
ON Semiconductor

J202_D26Z

частка акцыі: 3486

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
CPH3910-TL-E
ON Semiconductor

CPH3910-TL-E

частка акцыі: 143306

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.8V @ 100µA,

Ліст з жаданняў
FJX597JCTF
ON Semiconductor

FJX597JCTF

частка акцыі: 3407

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
TIS74
ON Semiconductor

TIS74

частка акцыі: 3394

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 4nA,

Ліст з жаданняў
J111-D26Z
ON Semiconductor

J111-D26Z

частка акцыі: 13212

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J109_D75Z
ON Semiconductor

J109_D75Z

частка акцыі: 3377

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
P108718
ON Semiconductor

P108718

частка акцыі: 3505

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MMBFJ112
ON Semiconductor

MMBFJ112

частка акцыі: 141208

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MCH5908H-TL-E
ON Semiconductor

MCH5908H-TL-E

частка акцыі: 126236

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 16mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 100µA,

Ліст з жаданняў
J174_D74Z
ON Semiconductor

J174_D74Z

частка акцыі: 3375

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
MMBFJ201_G
ON Semiconductor

MMBFJ201_G

частка акцыі: 3473

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J106_D26Z
ON Semiconductor

J106_D26Z

частка акцыі: 3415

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MMBFJ108
ON Semiconductor

MMBFJ108

частка акцыі: 124175

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
PN5434
ON Semiconductor

PN5434

частка акцыі: 3380

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 3nA,

Ліст з жаданняў