Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - JFET

  • Дом
  •  
  • Транзістары - JFET
MMBF4392LT1
ON Semiconductor

MMBF4392LT1

частка акцыі: 3353

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
TF256-5-TL-H
ON Semiconductor

TF256-5-TL-H

частка акцыі: 3456

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 240µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J177_D75Z
ON Semiconductor

J177_D75Z

частка акцыі: 3354

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
TF256TH-3-TL-H
ON Semiconductor

TF256TH-3-TL-H

частка акцыі: 3435

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
PN4117A
ON Semiconductor

PN4117A

частка акцыі: 3416

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1nA,

Ліст з жаданняў
TF252TH-4A-TL-H
ON Semiconductor

TF252TH-4A-TL-H

частка акцыі: 3473

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
KSK596BU
ON Semiconductor

KSK596BU

частка акцыі: 3374

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
P1087_D74Z
ON Semiconductor

P1087_D74Z

частка акцыі: 3404

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
PN4391_D26Z
ON Semiconductor

PN4391_D26Z

частка акцыі: 3517

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
PN4393_D74Z
ON Semiconductor

PN4393_D74Z

частка акцыі: 3397

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1nA,

Ліст з жаданняў
PN4393_D75Z
ON Semiconductor

PN4393_D75Z

частка акцыі: 3441

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1nA,

Ліст з жаданняў
U1897
ON Semiconductor

U1897

частка акцыі: 3362

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
PN4303
ON Semiconductor

PN4303

частка акцыі: 3438

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
MMBFJ271
ON Semiconductor

MMBFJ271

частка акцыі: 182098

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.5V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
PN4392
ON Semiconductor

PN4392

частка акцыі: 3402

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
PN4117
ON Semiconductor

PN4117

частка акцыі: 3417

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1nA,

Ліст з жаданняў
FJN598JBTA
ON Semiconductor

FJN598JBTA

частка акцыі: 3390

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MMBF5457LT1G
ON Semiconductor

MMBF5457LT1G

частка акцыі: 3395

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
MCH5908G-TL-E
ON Semiconductor

MCH5908G-TL-E

частка акцыі: 170392

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 100µA,

Ліст з жаданняў
MMBF5434
ON Semiconductor

MMBF5434

частка акцыі: 105652

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 3nA,

Ліст з жаданняў
PF53012
ON Semiconductor

PF53012

частка акцыі: 3395

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.7V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
MMBF5460LT1
ON Semiconductor

MMBF5460LT1

частка акцыі: 3328

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 750mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MMBF5461
ON Semiconductor

MMBF5461

частка акцыі: 141580

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MMBF4093
ON Semiconductor

MMBF4093

частка акцыі: 157594

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
KSK596PBWD
ON Semiconductor

KSK596PBWD

частка акцыі: 3421

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J108_D26Z
ON Semiconductor

J108_D26Z

частка акцыі: 3445

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
MMBFJ305
ON Semiconductor

MMBFJ305

частка акцыі: 120790

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1nA,

Ліст з жаданняў
P1087
ON Semiconductor

P1087

частка акцыі: 3407

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MMBFJ175LT3G
ON Semiconductor

MMBFJ175LT3G

частка акцыі: 106830

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
PN4861
ON Semiconductor

PN4861

частка акцыі: 3362

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 0.5nA,

Ліст з жаданняў
KSK30YTA
ON Semiconductor

KSK30YTA

частка акцыі: 3387

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 50V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
FJZ594JTF
ON Semiconductor

FJZ594JTF

частка акцыі: 3440

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
TF208TH-4-TL-H
ON Semiconductor

TF208TH-4-TL-H

частка акцыі: 3473

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MCH3914-7-TL-H
ON Semiconductor

MCH3914-7-TL-H

частка акцыі: 186696

Тып FET: N-Channel, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 15V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 16mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 10µA,

Ліст з жаданняў
J175_D27Z
ON Semiconductor

J175_D27Z

частка акцыі: 3367

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
PN4392_D27Z
ON Semiconductor

PN4392_D27Z

частка акцыі: 3437

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

Ліст з жаданняў