Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - JFET

  • Дом
  •  
  • Транзістары - JFET
MMBF5457
ON Semiconductor

MMBF5457

частка акцыі: 139477

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
KSK596ABU
ON Semiconductor

KSK596ABU

частка акцыі: 3426

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J107_D75Z
ON Semiconductor

J107_D75Z

частка акцыі: 3429

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
TF256-4-TL-H
ON Semiconductor

TF256-4-TL-H

частка акцыі: 3437

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J113_D75Z
ON Semiconductor

J113_D75Z

частка акцыі: 3347

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
MMBF4391LT1
ON Semiconductor

MMBF4391LT1

частка акцыі: 3327

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J111
ON Semiconductor

J111

частка акцыі: 140866

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
FJZ594JBTF
ON Semiconductor

FJZ594JBTF

частка акцыі: 3424

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
J112-D27Z
ON Semiconductor

J112-D27Z

частка акцыі: 13297

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
NSVJ3910SB3T1G
ON Semiconductor

NSVJ3910SB3T1G

частка акцыі: 135901

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 100µA,

Ліст з жаданняў
J177_D74Z
ON Semiconductor

J177_D74Z

частка акцыі: 3365

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
J113
ON Semiconductor

J113

частка акцыі: 138166

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1µA,

Ліст з жаданняў
PN4091_D26Z
ON Semiconductor

PN4091_D26Z

частка акцыі: 3400

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 1nA,

Ліст з жаданняў